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Telecommunications & Media
Huawei、三つ折りスマホ「Mate XT 2」発表 「Kirin 9050 Pro」搭載
Huaweiは中国で三つ折りスマートフォン「Mate XT 2」を発表した。新型「Kirin 9050 Pro」と「HarmonyOS 7」を採用し、前世代機比で性能が42%向上したとしている。
Industry
Samsung Electronics、ASML主導コンソーシアムに参加 12インチフォトマスク共同開発へ
Samsung Electronicsは8日、ASML主導の「大判マスク・コンソーシアム」への参加を発表した。次世代の12インチフォトマスクを共同開発し、2028年までに先端DRAMの製造工程へHigh NA EUVを導入する方針だ。
Industry
AMAT、AI半導体のボトルネックは「データ移動」 3Dスケーリングを全方位で加速
米Applied Materialsは、AI半導体の性能を左右するのは演算能力ではなくデータ移動の効率だと指摘した。DRAM、HBM、先端パッケージングまで3Dスケーリングを広げ、電力効率と性能の両立を図る。
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AI & Enterprise
TeslaのAIチップ幹部、DensityAIに移籍 Dojo系新興へ人材流出
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Industry
AIデータセンター需要で電力半導体値上げ SiC・GaNの8インチ化加速
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AI & Enterprise
KAIST、応答特性を切り替えられるAI半導体を開発
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Industry
中国Yuanjiyue、2次元半導体の8インチ試作ライン計画公表 EUV不要で2029年に5nm級目標
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AI & Enterprise
KAIST、2次元半導体の接触抵抗を抑える新構造を開発
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AI & Enterprise
KAIST、光学顕微鏡画像だけで2次元半導体を自動選別
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Industry
Applied Materials、HBM・チップレット向け新装置6機種 先端パッケージングとDRAM工程を強化
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Industry
imec、強誘電体メモリの研究成果を発表 DRAM・NAND代替候補に前進
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Industry
ASML、4億ドルの「ハイNA」EUV出荷開始 Intelが先行採用
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Industry
Applied Materials、AI向け3D半導体対応の新装置2機種を発表
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Industry
Huawei「Tauスケーリング」に中国EDA各社が対応 量産実装は4〜5年先
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Industry
Samsung Display、4K・360Hz対応QD-OLEDを初公開
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Industry
Huawei、2031年に1.4ナノ相当目標 新設計原理を打ち出す
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AI & Enterprise
KAIST、既存CMOSでオシレーター型アイジングマシンを実装
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Industry
TSMC、2029年までの次世代ロードマップ公表 A13・A12・N2Uを提示