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KAIST、2次元半導体の接触抵抗を抑える新構造を開発

KAISTは、2次元材料PtSe2の単一薄膜内に準金属領域と半導体領域を連続形成し、界面の接触抵抗を抑える構造と、電荷移動を直接観察できる分析プラットフォームを開発した。

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KAIST、光学顕微鏡画像だけで2次元半導体を自動選別

KAISTは、光学顕微鏡画像のみを用いて2次元半導体を自動選別し、電極設計からトランジスタの作製・分析までを一貫して進める技術を開発した。MoS2で3〜8層の厚み差を識別し、12万個超から1615個の素子を作製した。