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IBS、原子置換で2次元半導体を機能集積　低消費電力トランジスタを実証

科学技術情報通信部は16日、基礎科学研究院（IBS）ファンデルワールス量子物質研究団が2次元半導体の原子を選択的に置換し、1枚の薄膜上で複数機能を作り分ける技術を開発したと発表した。低電圧駆動のトランジスタも試作し、超低消費電力デバイスへの応用可能性を示した。

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Applied MaterialsとIntel、EPICセンターで次世代半導体を共同開発

Applied Materialsは10月7日、IntelとAI向け次世代半導体技術の開発で協業すると発表した。シリコンバレーのEPICセンターと、Intelのオレゴン州のR&D拠点を連携させ、開発から量産移行までの期間短縮を目指す。