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Samsung Electronics、HBM垂直積層の「zHBM」構想 2028年の一般市場を視野
Samsung Electronicsは9月8日、AIアクセラレータ直上にHBMを積層する「zHBM」構想を明らかにした。インターポーザーを使わず、帯域幅はHBM4E比で230%向上、消費電力は70%削減を目指す。業界では量産は2028〜2029年との見方が出ている。
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HBMの次で戦略分岐 Samsung Electronicsは3D積層、SK hynixは階層接続
AIの計算量の拡大で、従来のHBMだけでは帯域と容量の同時拡張が難しくなっている。Samsung Electronicsは3D積層の「zHBM」を、SK hynixはHBFを組み合わせた階層接続を打ち出した。
Industry
Samsung Electronics、400層超の「V10 BV-NAND」をFMS 2026で初披露
Samsung Electronicsは「FMS 2026」で、次世代3Dメモリー技術「zHBM」「zNAND-O」のモックアップを公開した。基調講演では400層超の「V10 BV-NAND」も初披露し、AIインフラ向け技術の方向性を示した。
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SK hynix、10社超と長期供給契約交渉を完了 27年HBM価格も協議
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Micron、広島に93億ドル投資 2028年夏にHBM量産へ
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Samsung Electronics、HBM4で反攻 ベースダイ内製化を前面に
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AI & Enterprise
NVIDIAのジェンスン・フアンCEO、訪韓日程の締めくくりで韓国連携を強調
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NVIDIAのジェンスン・フアンCEO、韓国でAI連携拡大 半導体からロボットまで
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SK hynix、HBM向け新冷却技術「iHBM」を発表
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HBM4のカスタム化進展、サプライチェーン情報が不透明に
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Hanmi Semiconductor、2025年売上高が過去最高 営業利益は1.6％減