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Samsung Electronics、HBM垂直積層の「zHBM」構想　2028年の一般市場を視野

Samsung Electronicsは9月8日、AIアクセラレータ直上にHBMを積層する「zHBM」構想を明らかにした。インターポーザーを使わず、帯域幅はHBM4E比で230%向上、消費電力は70%削減を目指す。業界では量産は2028〜2029年との見方が出ている。

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HBMの次で戦略分岐　Samsung Electronicsは3D積層、SK hynixは階層接続

AIの計算量の拡大で、従来のHBMだけでは帯域と容量の同時拡張が難しくなっている。Samsung Electronicsは3D積層の「zHBM」を、SK hynixはHBFを組み合わせた階層接続を打ち出した。