SK hynixは26日、HBMパッケージに一体型冷却要素を組み込む新技術「iHBM」を発表した。AI需要の拡大でHBMの積層数や動作速度が高まるなか、パッケージ内部に放熱経路を設けることで、発熱対策を強化する。

従来のHBMは、コアダイを介して外部に熱を逃がす構造が中心だった。一方、発熱が最も集中しやすいのは、HBMベースダイとAIアクセラレータダイをつなぐD2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）周辺だという。

iHBMでは、この領域に熱制御素子「ICE」（Integrated Cooling Elements）を挿入し、新たな放熱経路を形成する。ICEには、電気を通さず熱伝導率の高いシリコン材料を用いる。

同社によると、この構造により熱抵抗は従来比で30％以上低減できる。高温・高負荷環境でも、安定した動作特性を維持できるとしている。

量産工程には、実績のあるアドバンストMR-MUFベースのWLP（ウェハー・レベル・パッケージング）技術を適用した。MR-MUFは、積層チップ間の空間に保護材を注入して硬化させる方式だ。

また、既存のSiP（システム統合パッケージ）設計との互換性を高め、大幅な設計変更なしに適用できるようにしたと説明している。

SK hynixは今後、iHBMをHBM5など次世代製品から順次適用する方針だ。HPCやAIデータセンターといった超高密度・広帯域の用途で求められる熱管理要件に対応し、システム全体の安定性と運用効率の向上につなげる。

イ・ガンウク副社長（PKG開発担当）は「iHBMは、メモリ設計力と先端パッケージング技術を組み合わせて開発した、発熱を最小化するための最適なソリューションだ」とコメントした。「AI環境で顧客が求める価値を先んじて提供し、AIメモリ分野でのリーダーシップをさらに強化していく」としている。