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Applied Materials与Intel联手推进EPIC中心合作，提速晶体管、互连与先进封装研发

Applied Materials与Intel宣布，将在硅谷EPIC中心和俄勒冈州Hillsboro的Intel研发园区开展协同研发，重点布局先进逻辑节点所需的新一代材料、工艺技术和器件结构。合作范围涵盖晶体管前道工艺FEOL、互连后道工艺BEOL、互连微缩，以及基于Foveros的先进封装技术，目标是提升面向Agentic AI工作负载的平台性能、供电效率和散热能力。