随着AI芯片推动3D堆叠需求持续升温，Applied Materials发布6款新设备，布局先进封装与DRAM制造。公司6月29日表示，此次推出的新一批半导体制造系统，主要面向HBM和Chiplet相关工艺。

Applied Materials指出，随着AI计算模型规模扩大、数据吞吐量持续提升，带宽和存储容量需求正快速增长，行业面临“存储墙”挑战。业界的一条主要技术路径，是通过硅通孔（TSV）将DRAM芯片进行垂直堆叠，构建高带宽存储器（HBM），并采用3D堆叠结构。虽然这一方案有助于提升性能，但也显著增加了制造复杂度。

在此次发布的产品中，面向先进封装的化学机械抛光（CMP）设备“Opta Quad”率先亮相。该系统可在晶圆研磨过程中实时控制厚度，提高工艺均匀性。在将两颗芯片的铜互连与介电层一次性结合的混合键合工艺中，表面平坦度是决定良率的关键因素。

“Nokota Vmax 2”电化学沉积（ECD）系统则可覆盖从TSV填充到微凸点成形的高精度铜电镀工艺，并通过自适应图形调谐（APT）技术，修正因电路布局差异带来的偏差。

“Producer Avila 2”等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统主要用于抑制HBM芯片变形。Applied Materials表示，这类芯片会被减薄至标准晶圆厚度的约1/25。该系统可在TSV周边沉积内部应力分布更均衡的介电层，从而有助于12层、16层及更高层数HBM实现更稳定的键合。

Applied Materials半导体产品集团总裁Prabu Raja表示，公司在介电层CVD、ECD和CMP领域积累的技术，以及跨工艺整合能力，将为客户以更稳定、更高良率的方式扩展3D堆叠结构提供关键支撑。

在电子束量测方面，Applied Materials推出“VeritySEM 7AP”和“SEMVision G7AP”两款系统。公司指出，在先进封装环节，单一缺陷就可能导致整组HBM堆叠失效，精密检测正日益成为关键能力。

其中，VeritySEM 7AP可在严重翘曲的基板上提供低于10纳米的测量灵敏度；SEMVision G7AP则可在硅、有机基板和玻璃等多种基板上，对缺陷进行自动分类。Applied Materials称，已有领先的存储和逻辑芯片制造商采用SEMVision G7AP。

面向DRAM制造，Applied Materials还发布了升级版“Centura Prime”外延（Epi）系统。该系统将原本用于逻辑芯片的外延技术引入DRAM外围晶体管制造，在源极和漏极区域选择性生长硅锗（SiGe）与硅磷（SiP），从而提升驱动电流和能效表现。

Applied Materials同时表示，与此前相比，该设备占地面积减少20%，有助于晶圆厂在空间受限的情况下加快扩产。

Applied Materials成像与工艺控制集团副总裁Keith Wells表示，VeritySEM 7AP和SEMVision G7AP是公司将成熟晶圆厂检测能力拓展至封装领域的成果，两款系统从设计之初就针对3D架构特有的基板特性和缺陷挑战进行了专门优化。