Applied Materials于7日宣布，将与Intel合作，加快下一代晶体管、互连和先进封装技术研发。双方将打通硅谷的Applied EPIC（Equipment and Process Innovation and Commercialization）中心与位于俄勒冈州Hillsboro的Intel研发园区，以缩短相关技术从研发走向量产的周期。

此次合作将聚焦先进逻辑节点所需的新一代材料、工艺技术和器件结构，面向AI计算应用展开协同研发。具体范围涵盖晶体管前道工艺FEOL（Front-End-of-Line）、互连后道工艺BEOL（Back-End-of-Line）和互连微缩；同时，双方还将围绕Intel的3D堆叠封装技术Foveros，推进先进封装研发。

双方表示，此次合作旨在提升面向Agentic AI工作负载的高性能计算平台能力，重点课题包括提高互连集成密度，并改善供电效率和散热能力。Applied Materials称，EPIC中心计划于今年内完成启用准备。该中心的设计目标，是缩短从早期研究到大规模量产所需的时间。

在EPIC中心，芯片制造商可在安全环境下使用Applied Materials的研发能力和资源。公司表示，这将有助于加快技术验证和迭代，并推动下一代技术更早导入量产。通过联合创新项目，Applied Materials也可更好把握跨多个工艺世代的技术与市场趋势，从而明确研发投入方向并提升生产效率。Intel是该中心的创始合作伙伴。

Intel CEO Lip-Bu Tan表示，AI计算需求正推动行业在性能、能效和封装方面实现大幅提升，Intel正与生态合作伙伴紧密协作，以推进相关创新。他还表示，Applied Materials是Intel的重要合作伙伴，期待双方在EPIC中心进一步扩大合作，加快在美国将研究成果导入大规模量产。

Applied Materials董事长兼CEO Gary Dickerson表示，多年来，Applied Materials与Intel一直保持紧密合作，通过不断拓展材料工程边界，推动半导体路线图持续演进。他表示，双方团队在EPIC中心的协同将进一步巩固合作关系，并加快晶体管、互连和封装领域的创新，以支撑AI计算的未来发展。