随着AI芯片需求持续增长，半导体制造正加快向3D架构演进，随之而来的工艺均匀性问题也愈发突出。Applied Materials于16日发布两款新设备，分别为Centris Spectral SiN原子层沉积（ALD）系统和Producer Selectra钼刻蚀系统，旨在解决高堆叠结构下沉积与刻蚀难以保持均匀性的挑战。

Applied Materials表示，AI计算加速发展，正在推动芯片架构从平面走向三维化，包括全环绕栅极（GAA）晶体管和高堆叠3D NAND。随着结构变得更深、更窄，传统沉积和刻蚀工艺越来越难以保证沿结构深度方向的均匀性，而这类偏差会直接影响器件电性能，并拖累量产良率。

其中，Centris Spectral SiN原子层沉积系统采用微波等离子体技术，主要针对高深宽比结构中的沉积难题。Applied Materials指出，传统等离子体增强沉积工艺在这类结构中往往面临两难：提高等离子体密度有助于改善沉积效果，但同时也会带来更严重的离子损伤。新系统则可在尽可能降低这类矛盾的同时，在狭窄深孔内以低温方式均匀沉积致密的氮化硅薄膜（SiN）。

在GAA晶体管应用中，该设备可形成用于晶体管接触的高质量衬层，从而降低电阻和电容，提升器件运行速度。该系统基于Applied Materials的Spectral ALD平台开发，目前已开始被领先芯片制造商采用。

另一款Producer Selectra钼刻蚀系统，则用于推动3D NAND字线分离工艺由湿法刻蚀转向干法刻蚀。随着堆叠层数不断增加，低电阻金属钼被用于字线材料，但在传统湿法刻蚀过程中，液态化学品难以均匀进入深层结构，容易造成上部刻蚀偏重，影响整体轮廓控制。

Applied Materials表示，新系统通过先进的气体输送技术改善结构上下部的刻蚀均匀性，降低单元之间的性能差异，以应对漏电流和数据保持方面的问题。公司称，该系统已在大规模量产环境中完成验证。

Applied Materials半导体产品集团总裁Prabu Raja表示，从晶体管架构到存储堆栈，芯片制造商都在寻找能够适应高复杂度3D结构的精确沉积和选择性材料去除方案。Applied Materials希望通过最新的沉积和选择性刻蚀系统，帮助客户突破关键工艺节点挑战，加快下一代逻辑和存储技术创新。