随着AI数据中心带动存储需求持续增长，Samsung Electronics和SK hynix正加快推进在华NAND闪存工厂升级，以巩固本地产线竞争力，并应对中国存储厂商YMTC市场份额快速上升带来的压力。

据外媒10月21日报道，Samsung Electronics正推动西安工厂进行工艺升级，以具备生产286层V9 NAND闪存的能力；SK hynix也在加快大连工厂设备升级，目标是生产240层以上NAND产品。

其中，Samsung Electronics西安工厂升级项目代号为“Monami”，预计将分阶段推进产线转换。根据方案，该工厂月产能计划从2026年12月的5000片（晶圆）提升至2027年12月的4万片。目前，西安工厂主要生产约200层NAND，约占Samsung Electronics整体NAND产量的40%。

Samsung Electronics表示，此次调整将在美国出口管制框架内推进，不涉及新建厂房或新增产线，重点是通过工艺升级满足全球客户需求。公司称，将在遵守监管要求的前提下，保障包括美国客户在内的全球订单供应。

SK hynix也在同步提升大连工厂的技术水平。该工厂计划在现有192层产品基础上，推进至240层以上NAND生产。大连工厂是SK hynix于2021年收购Intel NAND业务后纳入的生产基地，目前由Solidigm体系运营，也是Solidigm唯一的NAND生产基地。与此同时，Solidigm正筹备在美国进行IPO。

两家公司加快升级在华产线，一个重要原因在于中国市场的重要性。TrendForce数据显示，中国占Samsung Electronics NAND产量的30%至35%，占SK hynix产量的40%至45%。如果中国工厂的技术升级落后，不仅会削弱其在当地市场的竞争力，也可能加大全球供应链运营压力。

从竞争格局看，YMTC被视为当前最主要的变量。2026年第二季度，YMTC在中国NAND市场的份额达到38.5%，超过Samsung Electronics的33.5%；SK hynix以17%位居第三。相比之下，YMTC在2025年全年市场份额约为28%，显示其影响力仍在快速扩大。

在技术层面，YMTC也在推进更高堆叠产品。消息称，YMTC目前主力产品为160层和232层NAND，同时已开始小规模生产294层产品，并评估向300层以上产品切换。随着其在中国市场份额持续提升，高堆叠NAND领域的竞争也在进一步升温。

不过，从全球技术水平来看，Samsung Electronics和SK hynix仍保持领先。Samsung Electronics已按照全球生产标准生产286层NAND，SK hynix则已量产321层NAND。由于最新工艺尚未充分导入中国工厂，此次升级也被视为缩小全球产线与在华工厂之间技术差距的重要一步。

美国对华出口管制仍是影响项目推进的关键变量。两家公司每年都需要获得许可，才能向中国工厂引入美国设备。美国政府此前曾释放信号，可能限制中国境内生产设施进行技术升级或扩产，但后续执行方式有所调整。两家公司目前已获得美方2026年度许可，以替代此前逐项例外审批机制。

不过，此次工艺升级所需设备能否全部获得批准，目前仍未有明确信息。后续设备导入和产线切换能否按计划推进，仍取决于美国出口管制的实际适用范围。

总体来看，Samsung Electronics和SK hynix此次升级在华工厂，既要应对YMTC加速追赶，也要满足AI数据中心带来的存储需求增长，同时还需兼顾美国出口管制要求。最新工艺导入中国工厂的速度，或将影响当地NAND市场竞争格局及两家公司的全球供应策略。