Tất cả bài viết Danh sách
Industry
Samsung Electronics thúc đẩy zHBM để giành lại vị thế trong cuộc đua HBM
Samsung Electronics đang phát triển zHBM, kiến trúc xếp HBM trực tiếp lên bộ tăng tốc AI, với mục tiêu tăng băng thông 230% và giảm 70% điện năng so với HBM4E.
Industry
Samsung Electronics đặt cược vào zHBM, SK hynix theo đuổi HBF
Trước giới hạn vật lý của HBM và nguy cơ thiếu nguồn cung, Samsung Electronics phát triển zHBM gắn trực tiếp lên gia tốc AI, trong khi SK hynix thúc đẩy chuẩn HBF dựa trên NAND để tăng dung lượng và hiệu quả chi phí.
Industry
Wafer thành nút thắt mới của AI, hợp đồng LTA bị kéo dài tới 10 năm
Nguồn cung wafer cho AI ngày càng căng thẳng, đẩy thời hạn LTA từ mức phổ biến 3-5 năm lên tới 10 năm. Các hãng bộ nhớ cũng chuyển sang khóa nguồn cung dài hạn và đặt trước công suất.
-
AI & Enterprise
UBS giữ khuyến nghị mua Micron, duy trì mục tiêu giá 1.625 USD nhờ HBM4 và AI
-
Industry
Samsung Electronics và SK hynix rẽ hai hướng với hợp đồng dài hạn chip nhớ
-
Industry
Giá bộ nhớ leo thang, Microsoft lùi khuyến nghị RAM 32GB, Apple chịu áp lực nguồn cung
-
Industry
Samsung Electronics ra mắt zHBM, zNAND-O và V10 BV-NAND hơn 400 lớp tại FMS 2026
-
Industry
Samsung Electronics: Bộ phận DS đóng góp 99,7% lợi nhuận hoạt động
-
Industry
Samsung muốn chốt 60-70% công suất bộ nhớ bằng hợp đồng dài hạn
-
Industry
Samsung Electronics lập kỷ lục doanh thu và lợi nhuận hoạt động trong quý II/2026
-
Industry
SK hynix lãi kỷ lục, cổ phiếu vẫn giảm mạnh vì áp lực đầu tư
-
Industry
SK hynix hoàn tất LTA với hơn 10 khách hàng, đàm phán giá và sản lượng HBM cho năm 2027
-
Industry
SK hynix lập kỷ lục quý II, biên lợi nhuận ròng lên 118%
-
Industry
SK hynix báo lãi hoạt động quý II tăng 557%, lập kỷ lục mới
-
Industry
Thị trường bộ nhớ đang dõi theo kết quả quý II của Samsung Electronics và SK hynix
-
Industry
AI Summit tại San Francisco: SK bắt tay Nvidia, Samsung ký MOU với Broadcom
-
Industry
SK Group mở rộng hợp tác hạ tầng AI với 5 hãng công nghệ Mỹ
-
Industry
Samsung Electronics bắt tay Broadcom, cung cấp HBM và tiến trình 2nm cho hạ tầng AI