SK hynix cho biết sẽ điều chỉnh thời điểm chuyển sang công nghệ bộ nhớ thế hệ mới dựa trên năng lực cung ứng và hiệu quả kinh tế. Trước mắt, hãng ưu tiên mở rộng sản lượng bằng các quy trình đã được kiểm chứng, đồng thời chuẩn bị cho nhu cầu kế tiếp với HBM tùy biến theo từng khách hàng và kiến trúc bộ nhớ phân tầng phục vụ AI.

Tại cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý III ngày 28/10, SK hynix nhận định nhu cầu bộ nhớ đang vượt nguồn cung khi AI suy luận ngày càng phổ biến. Công ty cũng cho rằng mô hình lưu trữ phân tầng giữa HBM, DRAM và SSD đang dần trở thành cấu trúc chủ đạo.

Theo SK hynix, việc một số khách hàng muốn giảm số lớp xếp chồng HBM là hệ quả của tình trạng thiếu nguồn cung. Kim Ki-tae, phụ trách bán hàng và marketing HBM của công ty, cho biết những điều chỉnh gần đây về cấu hình HBM là ví dụ điển hình cho thấy cầu đang vượt xa cung. Khối lượng đặt hàng từ khách hàng hiện cao hơn gấp đôi năng lực cung ứng của SK hynix.

Việc giảm số lớp xếp chồng giúp tăng số lượng cube HBM có thể sản xuất từ cùng một dung lượng, từ đó hỗ trợ xuất xưởng thêm bộ tăng tốc AI. Công ty cho biết dù số lớp giảm, phần lớn mức suy giảm có thể được bù lại nhờ dung lượng trên mỗi die tăng lên, nên triển vọng nhu cầu HBM trong trung và dài hạn không thay đổi.

Áp lực nhu cầu không chỉ dừng ở HBM. SK hynix cho biết khi agentic AI và các tác vụ xử lý ngữ cảnh dài gia tăng, quy mô KV cache - dữ liệu ngữ cảnh cần cho AI suy luận - cũng phình to rất nhanh.

Song Chang-seok, Phó chủ tịch phụ trách marketing NAND của SK hynix, cho rằng việc lưu toàn bộ KV cache trên HBM và DRAM gặp giới hạn cả về dung lượng lẫn chi phí. Theo ông, tầm quan trọng của kiến trúc bộ nhớ phân tầng - phân bổ dữ liệu giữa HBM, DRAM và SSD theo tần suất truy cập - đang ngày càng tăng.

SSD hiện đã được sử dụng trong một số hệ thống AI để lưu chuyển KV cache. Ông Song dự báo vai trò của SSD sẽ tiếp tục mở rộng, trở thành một tầng bộ nhớ ngữ cảnh nơi nhiều máy chủ và GPU cùng chia sẻ KV cache quy mô lớn.

Với mảng DRAM, SK hynix dự kiến đáp ứng nhu cầu trước mắt bằng cách mở rộng các quy trình hiện có. Trong bối cảnh một số đối thủ theo đuổi cấu trúc cell mới và thúc đẩy DRAM thế hệ tiếp theo, công ty cho biết sẽ khai thác tối đa cấu trúc 6F² hiện nay trước khi chuyển sang 4F² hoặc DRAM 3D.

Theo SK hynix, 4F² là công nghệ DRAM thế hệ mới giúp thu nhỏ diện tích cell để tăng mật độ tích hợp. Công ty cho biết đã bảo đảm đủ dư địa kỹ thuật để tiếp tục mở rộng cấu trúc 6F² thông qua đổi mới quy trình dựa trên công nghệ quang khắc EUV.

Park Jun-deok, phụ trách marketing DRAM của SK hynix, cho biết ở giai đoạn hiện nay, cách tiếp cận hiệu quả nhất là tận dụng tối đa nền tảng đã được kiểm chứng về độ ổn định trong sản xuất hàng loạt và khả năng cạnh tranh về chi phí, qua đó nâng sức cạnh tranh của sản phẩm.

Công ty cũng tách bạch lộ trình phát triển công nghệ với lộ trình đưa vào sản xuất hàng loạt. Theo SK hynix, để một cấu trúc mới được áp dụng cho sản phẩm, ngoài hiệu năng còn phải đáp ứng các tiêu chí về tỷ lệ thành phẩm, độ tin cậy, chi phí và quá trình đánh giá từ phía khách hàng.

Ông Park nhấn mạnh cần phân biệt giữa việc hiện thực hóa công nghệ và thời điểm thương mại hóa. SK hynix sẽ đưa từng công nghệ vào sản phẩm phù hợp tại thời điểm bảo đảm mức độ hoàn thiện và hiệu quả kinh tế. Lộ trình của hãng là đi từng bước, từ tiếp tục thu nhỏ DRAM hiện tại sang 4F² rồi DRAM 3D; HBM cũng đi theo trình tự tương tự.

Ở mảng HBM, SK hynix cho biết HBM4E đã hoàn tất cung cấp mẫu trong quý II và hiện được phát triển, đánh giá theo lịch trình của khách hàng.

Trọng tâm cạnh tranh tiếp theo của công ty là năng lực thiết kế theo từng khách hàng. Theo ông Kim, bên cạnh nguồn cung HBM tiêu chuẩn ổn định, HBM tùy biến được tối ưu cho hệ thống và workload riêng của từng khách hàng sẽ ngày càng quan trọng.

Ông cho biết SK hynix sẽ tiếp tục mở rộng hoạt động HBM với vị thế nhà cung cấp số một cho các khách hàng chủ chốt, dựa trên sức cạnh tranh của sản phẩm đã được kiểm chứng và năng lực sản xuất hàng loạt ổn định.

Trong mảng NAND, công ty đang phát triển công nghệ phần mềm SALT KV để quyết định cách phân bổ giữa HBM, DRAM và SSD dựa trên giá trị tái sử dụng và chi phí lưu trữ của KV cache. Song song đó là công nghệ bộ nhớ lai dựa trên CXL mang tên CMM Hybrid. Về trung và dài hạn, SK hynix hướng tới HBF - giải pháp kết hợp băng thông cao với NAND - như một tầng nằm giữa HBM và SSD.

Tuy nhiên, tác động của việc điều chỉnh số lớp xếp chồng đối với khả năng sinh lời của HBM vẫn là một biến số. Ông Kim cho biết lợi nhuận không thể đánh giá chỉ dựa trên số lớp xếp chồng, do còn phụ thuộc vào điều kiện giao dịch của từng sản phẩm, cơ cấu sản phẩm, tỷ lệ thành phẩm, năng suất ở công đoạn sau và chi phí.

Khi số lớp giảm, lượng cube cần thiết để tạo ra cùng một sản lượng sẽ tăng lên, kéo theo nhu cầu đối với base die và các công đoạn sau cũng tăng theo.

SK hynix cho biết các yếu tố này đã được phản ánh vào kế hoạch sản xuất và cung ứng. Công ty cũng đã hoàn tất đàm phán với các khách hàng chủ chốt về sản lượng và giá HBM cho năm tới, đồng thời dự báo khoảng cách lợi nhuận giữa HBM và DRAM phổ thông sẽ thu hẹp.

Theo SK hynix, doanh thu và lợi nhuận từ HBM trong năm tới sẽ tăng so với năm nay nhờ tỷ trọng HBM4 mở rộng, giá bán tăng, cùng với cải thiện về tỷ lệ thành phẩm và chi phí. Công ty kỳ vọng mức sinh lời sẽ tiếp tục duy trì trên mức đỉnh của chu kỳ trước.