DB HiTekは、保有する遊休の半導体中古装置を公共ナノファブに無償移管する。移管先はMoA Fab参加機関のナノ総合技術院とナノ融合技術院で、研究開発と技術実証に活用する。

科学技術情報通信部は6日、忠清北道・陰城郡にあるDB HiTek尚友キャンパスで「DB HiTek-MoA Fab中古装置移管協約式」を開いた。今回の取り組みは、同部が2025年3月にSamsung Electronics、SK hynix、DB HiTekの3社と締結した業務協約の後続措置に当たる。

協約に基づき、DB HiTekは保有する遊休の中古装置を、MoA Fabに参加するナノ総合技術院とナノ融合技術院に無償で移管する。装置は、半導体の中核工程に関する研究開発や技術実証の支援に充てる。

ナノ総合技術院には、8インチの高温熱処理成膜装置を導入する。超小型の精密部品や音響マイク、圧力センサー、赤外線センサーなどに用いる構造膜を、薄く均一に形成できる装置だという。

ナノ融合技術院には、8インチのドライエッチング・表面コーティング装置を移管する。従来工程に比べ、超微細・超薄膜部品を損傷させずに分離でき、工程の簡素化と部品品質・完成度の向上につながるとしている。

同部は、全国の公共ナノファブを連携させる「MoA Fab」プラットフォームを基盤に、企業の遊休装置を公共ナノファブへ移管する官民連携モデルを進めている。2026年から2033年まで総額750億ウォン（KRW）を投じる「MoA Fab中古装置活用支援事業」を通じ、参加機関の装置移設・導入費用を支援する。

ク・ヒョクチェ科学技術情報通信部第1次官は「DB HiTekによる中古装置の移管は、官民が連携して半導体エコシステムの好循環を生み出す協力モデルだ」と述べた。その上で「公共ナノファブの研究支援インフラを高度化し、先端半導体とナノ技術の革新、専門人材の育成を後押しする」と強調した。