SK hynixは8月4日、Sandiskと共同開発した高帯域幅フラッシュ（HBF）の初の標準仕様を公表した。米サンタクララで同日開幕した「FMS（Future of Memory and Storage）2026」で明らかにした。

HBFは、高帯域幅メモリ（HBM）とSSDの中間を担う新しいメモリ階層だ。HBM並みの高速データ転送とNANDベースの大容量を両立する。AI推論の拡大で扱うデータ量が増えるなか、帯域幅と容量の拡張性を同時に確保できる技術として注目を集めている。

今回公表した仕様は、SK hynixが2025年8月にSandiskと標準化に向けた協力を開始し、2026年2月にコンソーシアムを立ち上げてから約6カ月で取りまとめた初の成果となる。容量は、NANDダイを8段または16段に積層する2つの構成を前提に、最大512GBまで規定した。帯域幅は3つの等級を設け、約0.4TB/秒から最大3.0TB/秒まで対応できるようにした。

インターフェースには、異なる半導体チップレットを高速接続するオープン標準の「UCIe」を採用した。GPUやCPUなど多様なプロセッサに柔軟に接続できる基盤を整える。仕様はOCP（Open Compute Project）を通じて公開し、業界標準化を目指す。HBFコンソーシアムには現在、GoogleとTenstorrentが参加している。

会期初日の4日には、キム・チョンソン部門長（Solution開発）とカン・ウクソン担当（次世代商品企画）が共同で基調講演に登壇する。エージェンティックAIの拡大により、単一のメモリ製品だけでは対応が難しくなるとの見方を示したうえで、特性の異なるメモリを階層的に組み合わせるメモリ基盤アーキテクチャの方向性を提示する予定だ。

6日には、イム・ウィチョル担当（Solution AT）のほか、Google DeepMindのシャオユイ・マ研究員、Sandiskのラジブ・ナガビラバ副社長がパネル討論に参加する。テーマは「HBFでメモリウォールを超える」で、AIインフラにおけるHBFの役割と可能性を議論する。

展示ブースでは、SK hynixが開発中の第10世代（V10）375層4D NANDのウエハーと製品を初公開する。前世代比で電力効率を2.5倍に高めたといい、2027年初めにはこれを基盤とする高性能・大容量eSSDの量産に着手する計画だ。

キム部門長は「HBFを通じてメモリとストレージの境界を広げ、システム全体の効率を高める新しいアーキテクチャの実現に貢献したい」とコメントした。