Industry

Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV

Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”，将推进12英寸光掩膜联合开发，并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本，同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。

Crypto

Mark Cuban：下一轮投资热潮或在AI芯片

亿万富翁投资者Mark Cuban表示，用于AI运算的高性能GPU有望成为新的投资资产，甚至可能被视作一种“新的加密资产”。他认为，AI需求升温正在改写芯片会随时间贬值的传统判断。不过，这一观点很快遭到比特币支持者反驳，后者认为芯片并不具备比特币的难度调整和减半机制。