Industry

Samsung Electronics首次向全球客户提供HBM4E 12层样品

Samsung Electronics宣布，已首次向全球客户提供HBM4E 12层产品样品。该产品单引脚速率为14Gbps，最高可达16Gbps，较HBM4提升逾20%；单堆栈带宽最高达3.6TB/s，12层容量为48GB。公司表示，产品在能效和热阻表现上也有所优化，后续将根据客户进度推进量产供货。

AI & Enterprise

韩国“国民增长基金”拟向 FuriosaAI 直接投资约8000亿韩元，支持AI芯片量产与下一代研发

韩国金融委员会5月28日表示，“国民增长基金”基金运用审议委员会当天审议通过5个项目，合计规模4.14万亿韩元。其中，FuriosaAI拟获约8000亿韩元直接投资，用于NPU量产扩张及采用2nm工艺、搭载HBM4和HBM4E的下一代产品研发。与此同时，Smilegate建设100MW AI数据中心项目、SK bioscience疫苗研发及L&F旗下电池材料项目也将获得政策性资金支持。