Samsung Electronics于12日宣布，已率先实现新一代高带宽存储器（HBM）HBM4的量产并出货。公司预计，2026年HBM营收将较2025年增长3倍以上。

据介绍，HBM4采用1c（10纳米级第六代）DRAM和4纳米基础芯片。Samsung Electronics表示，公司在HBM4开发初期便将性能目标设定在JEDEC标准之上，并打破以往沿用成熟工艺的做法，提前导入先进制程，从而在量产初期即实现稳定良率和性能表现，无需重新设计。

Samsung Electronics内存开发负责人、副社长Hwang Sang-joon表示，公司通过工艺竞争力和设计优化预留了充足的性能扩展空间，可在适当时点满足客户进一步提升性能的需求。

性能方面，HBM4可稳定实现11.7Gbps传输速率，较JEDEC标准8Gbps高出46%，最高可达13Gbps。与HBM3E最高9.6Gbps的引脚速率（pin速率）相比，提升约1.22倍。

带宽方面，HBM4总带宽最高约为3.3TB/s，较HBM3E提升约2.7倍，也高于客户提出的3.0TB/s目标。容量方面，依托12层堆叠技术，产品可提供24GB至36GB容量；后续还将结合客户产品节奏导入16层堆叠技术，最高容量可扩展至48GB。

HBM4的数据传输I/O引脚数由1024个增至2048个，实现翻倍。针对由此带来的功耗和散热压力，Samsung Electronics在核心芯片中引入低功耗设计，并将硅通孔（TSV）驱动电路电压从1.1V降至0.75V，使TSV驱动功耗降低约50%，同时持续优化电源分配网络（PDN）。

Samsung Electronics表示，受益于上述设计，HBM4能效较上一代提升约40%，热阻特性改善约10%，散热表现提升约30%。对数据中心运营商而言，这意味着在提升GPU计算性能的同时，还可降低服务器及数据中心的耗电和冷却成本。

HBM4E预计将于2026年下半年送样，定制HBM预计自2027年起陆续推出样品

Samsung Electronics预计，2026年HBM营收将较2025年增长3倍以上，目前正提前扩大HBM4产能。公司表示，来自全球主要GPU厂商以及采用自研芯片的超大规模云服务商客户的HBM供应合作需求持续增长。

在供应稳定性方面，Samsung Electronics强调，其作为覆盖逻辑、存储、代工和封装的一体化半导体企业，具备IDM模式下的一站式能力优势。公司称，可在自有代工工艺与HBM设计之间开展紧密的DTCO（设计-技术协同优化）协作，并依托自有先进封装能力，将供应链风险降至最低、缩短生产和交付周期。

在基础设施方面，Samsung Electronics表示，依托业内最大规模的DRAM产能以及提前布局的洁净室资源，公司具备灵活应对需求增长的能力。自2028年起正式投产的平泽园区二期5号产线，将作为HBM生产的核心基地使用。

在下一代产品规划方面，Samsung Electronics称，性能进一步提升的HBM4E预计将于2026年下半年启动送样。与此同时，面向客户AI加速器和GPU架构、可在容量、速度和功耗等方面进行定制设计的定制HBM，也将自2027年起按照客户进度陆续送样。

Samsung Electronics相关人士表示，HBM4量产过程中所验证的1c工艺质量和供货稳定性，未来仍将是公司向HBM4E及定制HBM等高附加值产品拓展过程中的关键竞争力。