Samsung Electronics将优先向AMD供应下一代高带宽内存HBM4，双方合作范围也将进一步扩大至AI数据中心平台及晶圆代工等领域。

Samsung Electronics于18日宣布，公司已在平泽园区与AMD签署合作备忘录（MOU），围绕下一代AI内存和计算技术深化合作。签约仪式上，Samsung Electronics DS部门负责人Jeon Young-hyun与AMD CEO Lisa Su等双方高管出席。

根据协议，Samsung Electronics将优先向AMD供应面向AI加速器的HBM4。AMD计划在下一代AI加速器Instinct MI455X GPU中采用HBM4。该产品主要面向数据中心AI训练和推理场景。

Samsung Electronics介绍称，HBM4的数据传输速率最高可达13Gbps，高于8Gbps的行业普遍水平，最大带宽可达3.3TB/s。公司表示，基于1c DRAM和4nm Base-die技术的HBM4已于今年2月启动量产出货。随着向AMD供货HBM4，Samsung Electronics也希望进一步强化其在HBM市场的竞争力。

除HBM4外，双方还将把合作延伸至AI数据中心领域。两家公司计划围绕机架级AI服务器集成平台Helios，以及第六代EPYC服务器CPU的性能提升，在高性能DDR5内存解决方案方面展开协作。

此外，Samsung Electronics与AMD还将继续就AMD下一代产品的晶圆代工合作展开讨论。Samsung Electronics表示，公司计划以覆盖内存、晶圆代工和封装的一体化解决方案为基础，进一步扩大与AMD的合作。

Jeon Young-hyun表示，Samsung Electronics与AMD有着推动AI计算发展的共同目标，此次协议将进一步拓宽双方合作范围。凭借领先的HBM4、下一代内存架构，以及先进的晶圆代工和封装技术，Samsung Electronics具备支持AMD AI路线图的一体化能力。

Lisa Su表示，构建下一代AI基础设施离不开产业链各方的紧密协作。她说，很高兴将Samsung Electronics先进的内存技术与AMD的Instinct GPU、EPYC CPU及机架级平台相结合。

在此之前，Samsung Electronics已是AMD最新AI加速器MI350X和MI355所采用HBM3E的核心供应商之一。Samsung Electronics方面表示，双方将以此次MOU为契机，在面向AI和数据中心的下一代内存领域展开更紧密合作，并为客户提供更具竞争力的AI基础设施方案。