受益于DRAM和NAND价格上行，Samsung Electronics半导体业务在2025年第四季度创下历史最佳单季表现。公司凭借在存储器市场的领先份额，在供给偏紧的环境下进一步提升了定价能力。其中，DRAM平均售价（ASP）环比上涨约40%，NAND ASP上涨20%中段，均显著高于市场此前预期。

Samsung Electronics于29日披露，2025年第四季度DS部门实现营收44万亿韩元、营业利润16.4万亿韩元，其中存储业务刷新单季历史新高。按全年计算，公司2025年实现营收333.61万亿韩元、营业利润43.6万亿韩元。

Samsung Electronics将业绩改善归因于AI带动的服务器需求扩张，以及高附加值产品占比提升。存储业务部门副社长Kim Jae-joon表示，围绕AI市场的先发竞争促使超大规模客户扩大资本开支（CAPEX），服务器需求明显超过行业供给。在库存偏低、供给受限的情况下，公司以高附加值产品为中心调整产品结构，重点提升盈利能力。

从产品来看，DRAM业务增长主要由高带宽存储（HBM）以及面向服务器的高容量DDR5、LPDDR5X带动。Kim Jae-joon表示，公司第四季度服务器DRAM bit出货量创下新高，并推动DRAM ASP环比上升约40%。

NAND方面，受QLC销量扩大及平面NAND停产等因素影响，按bit口径的综合ASP涨幅在统计上显得相对有限。Kim Jae-joon表示，尽管如此，公司仍通过以服务器产品为核心的产品组合优化，叠加整体市场价格上涨，推动第四季度NAND ASP实现环比20%中段增长。与此同时，公司在有限产能下集中扩大服务器SSD销售，第四季度服务器相关销售占比较前一季度提升约10个百分点。

市场同时关注龙头厂商在价格谈判中的优势。业内此前普遍预计，第四季度DRAM价格环比涨幅在30%出头，NAND价格涨幅在10%后段；而Samsung Electronics实际录得DRAM约40%、NAND 20%中段的涨幅，明显高于市场平均水平。作为市占率领先厂商，公司在与客户协商涨价时处于更有利位置。

Kim Jae-joon还表示，客户担忧存储器供给不足影响整机生产，因此正积极锁定供货规模；在行业整体供给受限的背景下，市场景气有望持续改善。

HBM4将于2月启动量产出货，预计今年HBM营收同比增逾3倍

在AI半导体市场竞争升温之际，Samsung Electronics也在加快推进下一代产品布局。存储业务部门表示，公司将从2月起启动HBM4量产并出货。Kim Jae-joon称，公司已从主要客户处获得有关产品“具备差异化性能竞争力”的反馈，量产出货产品中还将包括最高规格、速率达11.7Gbps的型号。

随着HBM4出货启动，公司HBM业务规模也有望进一步扩大。Kim Jae-joon表示，2026年Samsung Electronics的HBM营收预计将同比增长3倍以上。按公司当前已准备的产能计算，相关产能已获得客户采购订单锁定。他同时提到，主要客户正希望尽早敲定2027年及以后年份的供货安排。

除HBM外，Samsung Electronics也计划继续加码服务器DRAM市场。Kim Jae-joon表示，为推动AI相关需求实现健康、持续增长，公司将平衡HBM与服务器DDR的供应，并根据市场变化灵活调整。NAND方面，随着面向关键高价值SSD应用的TLC PCIe Gen6 SSD需求被认为将快速增长，公司计划以TLC产品线为核心强化市场响应。

Samsung Electronics CFO Park Soon-cheol表示，公司同时具备逻辑芯片、存储器、晶圆代工和先进封装等全栈能力，是全球唯一能够提供一站式解决方案的半导体企业，未来将以此为基础，在AI半导体市场进一步争取并巩固主导地位。

在资本开支方面，Samsung Electronics预计2026年设备投资将较上年明显增加。Kim Jae-joon表示，为充分利用新建晶圆厂和洁净室空间，公司将扩大设备投资；其中DRAM将以1c纳米工艺为中心，NAND则以V9为核心，加快先进工艺产能布局。