HBM(高带宽存储)示意图。图片来源:Shutterstock

随着去年快速升温的AI基础设施投资在今年一季度出现降速迹象,HBM市场也可能随之进入短暂观望期。

高盛2月4日表示,市场一致预期显示,2026年超大规模云服务商资本开支将达到5270亿美元,创历史新高,但增速已明显放缓。去年三季度,这一资本开支同比增速一度升至75%,四季度回落至49%,预计到今年年底将进一步降至25%。

业内普遍认为,这种放缓趋势可能从一季度开始更加明显。Morgan Stanley指出,市场当前的主要担忧并非大型科技企业需求减弱,而是数据中心建设仍受制于产能与配套条件。电力供应、土地限制以及半导体等关键硬件供给不足,均可能拖慢AI基础设施扩张节奏,并对短期增长形成约束。

在这一背景下,部分科技巨头可能阶段性放缓HBM3E采购,转而等待二季度开始放量的HBM4。市场观点认为,在供给仍然偏紧的情况下,大客户更可能优先将有限资源配置到下一代产品。

与此同时,AI芯片算力提升速度持续快于内存带宽增长,“内存墙(Memory Wall)”问题进一步凸显。TrendForce数据显示,AI模型算力在两年内增长了3倍,但内存带宽仅提升1.6倍,互连带宽仅提升1.4倍。随着系统性能越来越受制于数据传输效率,科技巨头将资源优先投向性能提升更明显的HBM4的动力也在增强。

NVIDIA CEO Jensen Huang今年1月在CES 2026上宣布,下一代AI计算架构“Rubin”将进入规模量产阶段,也进一步强化了产业链向新一代HBM切换的预期。NVIDIA以往通常在3月GTC开发者大会前后发布新品,而此次节奏明显提前,市场也将其解读为有意推动HBM4供应节奏前移。

据介绍,Rubin将搭载HBM4,总带宽可达2TB/s,接口宽度扩展至2048bit,较现有水平实现翻倍,并可在不提升时钟频率的情况下将数据吞吐能力提升一倍。Micron近期也在业绩电话会上表示,HBM4预计将于2026年二季度进入全面量产阶段。

HBM4量产提速,二季度后订单有望明显回升

上述变化预计将直接反映在HBM供应端。一季度,半导体供给瓶颈与HBM4量产准备期可能出现重叠,订单节奏存在调整压力。考虑到HBM4要到二季度才会进入实质性放量阶段,SK hynix与Samsung Electronics一季度业绩预期也可能面临调整。

有业内人士表示,在供给偏紧且“内存墙”亟待缓解的背景下,科技巨头相较HBM3E,正更倾向于将投资集中到性能提升更大的HBM4。在HBM4于二季度全面量产之前,一季度市场不排除出现阶段性订单空档。

不过,韩国存储芯片厂商即便短期面临业绩压力,中长期增长动能仍有望延续。Samsung Electronics正在加快HBM4技术开发,试图冲击SK hynix在相关市场的主导地位。TrendForce认为,凭借技术实力,Samsung Electronics有望在下一代HBM市场扩大份额。业内预计,随着二季度后HBM4量产全面推进,订单规模或将迅速回升。

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