SK hynixがメモリー生産基盤への投資を加速している。米インディアナ州では39億ドル規模の先端パッケージング工場を起工し、韓国内では用仁半導体クラスターの第1工場「Y1」の工事進捗率が87%に達した。あわせて、第2工場「Y2」と清州の「M17」への計54兆ウォン規模の投資と着工時期も決めた。

業界によると、SK hynixは27日、米インディアナ州で先端パッケージング工場の起工式を開く。投資額は39億ドル（約5850億円）。国内では、用仁半導体クラスターの初号ファブとなるY1の建設が終盤に入っている。政府主導の湖南半導体クラスターでは、電力網整備の日程を1年前倒しすることも決まった。

SK hynixは7日の取締役会で、用仁半導体クラスターのY2に35兆2000億ウォン（約3兆8720億円）、清州のM17に19兆1000億ウォン（約2兆1010億円）を投じる方針を決めた。6月に示した中長期投資計画に基づく後続措置としている。

Y2は延べ床面積34万1000坪のDRAM生産拠点で、HBMを含む次世代DRAMを生産する計画だ。2027年7月に着工し、2029年6月に最初のクリーンルームの稼働を始める。投資は2031年10月まで続く見通し。

清州M17は延べ床面積20万6000坪のNANDフラッシュ生産拠点。2027年2月に着工し、2028年12月の初期クリーンルーム稼働を目指す。

前倒し幅はさらに大きい。SK hynixは、当初2045年としていた用仁クラスター4工場の建設完了時期を、2033年へ12年前倒しする方針をすでに示している。

湖南半導体クラスターでは、インフラ整備の前倒しも進む。業界によると、政府は11日、湖南半導体産業団地の電力網整備日程を2029年末から2028年末へと1年前倒しした。用地となる光州軍空港の機能の暫定移転時期は2028年半ばを見込む。

こうした日程短縮の背景には、堅調な需要見通しがある。市場調査会社Omdiaは、昨年から2030年までのDRAMとNAND需要が、それぞれ年平均19%成長すると予測した。

Mirae Asset Securitiesも、2028年までメモリー需給が逼迫するとみている。DRAMの平均販売価格（ASP）は2026年に188%、2027年に23%上昇すると予想。長期供給契約（LTA）の比率が50%を超え、業績の変動性も低下していると分析した。

長期的には中国発の供給攪乱リスクもあるが、足元では限定的との見方が多い。Mirae Asset Securitiesによると、中国メーカーによるHBM3相当品の自給には、なお約2年を要するという。

また、中国のCXMTが不足分を補うため生産能力をHBMに振り向ければ、一般DRAMの供給はむしろ減少するとの見方も示した。

2028年まで続く供給逼迫、クラスター投資は建設需要押し上げ

投資計画の具体化は、建設需要の拡大にもつながる。アイエム証券によると、SK hynixの用仁・元三クラスターにおける4棟のファブの延べ床面積は合計約600万平方メートルに達する見通し。建設会社が見込める工事金額は1棟当たり約20兆ウォン（約2兆2000億円）、4棟合計で80兆ウォン（約8兆8000億円）規模としている。

政府も手続き面の支援を急ぐ。用仁半導体クラスターの工場増設に向けて別途の許可制度を導入し、現場で滞留している4兆3000億ウォン（約4730億円）規模の投資実行を後押しする方針だ。建築許可制度の見直しによって、2兆5000億ウォン（約2750億円）規模の投資加速も進める。西南圏の半導体用水事業1兆ウォン（約1100億円）については、予備妥当性調査の免除を推進している。

一方で、最大の課題として電力制約は残る。用仁クラスター向けの1100キロメートルに及ぶ超高圧送電線計画は、経由地の住民反発に直面している。3大メガプロジェクトを支援する「メガ特区特別法」は年内制定を目標とするが、争点となっている週52時間制の例外適用は結論が先送りされている。

SK hynixにとって、湖南半導体クラスターが実際に着工段階へ進むかどうかは、供給体制の拡張を切れ目なく進められるかを左右する要素となる。湖南ファブ用地への電力供給時期は2028年末、光州軍空港機能の暫定移転は2028年半ばを見込む。業界関係者は「具体的な建設計画はまだ決まっていないが、電力と用水の計画が解決すれば前進するだろう」と話している。