写真=Samsung ElectronicsのDS部門の半導体拠点

Samsung Electronicsは2025年、研究開発(R&D)投資を過去最大の37兆7548億ウォンまで積み増した。設備投資も52兆6511億ウォンに達し、DS部門やSDCを中心に先端工程の増設・転換を進めた。

10日に公表した同社の2025年の事業報告書によると、R&D投資額は前年比7.8%増の37兆7548億ウォンだった。2024年の35兆215億ウォンから増加し、2023年の28兆3528億ウォンと比べると2年間で9兆ウォン超拡大した。売上高に占めるR&D比率は11.3%で、前年の11.6%に近い高水準を維持した。

同社は、商用化までの時間軸に応じて3層の研究開発体制を敷いている。1~2年以内の製品化を目指す技術は各事業部の開発チームが担い、3~5年先を見据えた中長期技術はSamsung Researchや半導体研究所などが担当する。中核となる先行技術は総合研究所のSAITで開発している。

海外では、米国、日本、中国、インドなどの主要国に研究開発拠点を展開している。

特許面でも研究成果の権利化を進めた。2025年は韓国で1万639件、米国で1万347件の特許を登録した。保有特許は累計で世界28万1857件となり、このうち米国は10万5471件を占める。

設備投資も大きく伸ばした。2025年はDS部門とSDCなどを中心に、先端工程の増設・転換向けとして52兆6511億ウォンを投じた。このうちDS部門向けは47兆4764億ウォンだった。

投資の狙いとしては、メモリ分野における次世代技術の競争力強化、中長期需要への対応、システム半導体の先端ノード生産能力の確保を挙げている。

Samsung Electronicsは現在、器興キャンパスでR&D複合団地「NRD-K」を建設している。将来の生産基盤拡充に向け、投資効率の向上にも注力する方針だ。

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