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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方

为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。

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Nvidia推出NVHBM：采用自研HBM控制器并集成至HBM基座Die

Nvidia宣布将新一代高带宽内存技术NVHBM纳入NVLink Fusion，并由公司制定统一规格，交由主要内存合作伙伴完成验证和供货。该方案将Nvidia自研控制器集成至HBM基座Die。Nvidia称，相比HBM4E，NVHBM可实现最高30%的带宽提升和HBM功耗降低15%，同时为XPU计算Die腾出更多面积。