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Samsung Electronics布局zHBM:拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方
为重夺HBM主导权,Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层,将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方,目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过,其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现,业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。
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Nvidia推出NVHBM:采用自研HBM控制器并集成至HBM基座Die
Nvidia宣布将新一代高带宽内存技术NVHBM纳入NVLink Fusion,并由公司制定统一规格,交由主要内存合作伙伴完成验证和供货。该方案将Nvidia自研控制器集成至HBM基座Die。Nvidia称,相比HBM4E,NVHBM可实现最高30%的带宽提升和HBM功耗降低15%,同时为XPU计算Die腾出更多面积。
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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局:zHBM押注3D堆叠,HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力,Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM,以缓解数据搬运瓶颈;后者则联合SanDisk发布HBF首个标准,通过分层部署并互联不同类型存储,提升系统容量与整体效率。
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Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND,并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
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Samsung Electronics二季度营业利润率达52%,集团营业利润几乎全部来自半导体业务
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三星电子二季度营收、营业利润均创历史单季新高
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SK hynix二季度营业利润同比增557.2%,上半年营收首破100万亿韩元
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旧金山AI峰会掀合作潮:Nvidia携SK集团推进5000亿美元意向书合作,Samsung Electronics与Broadcom签下2000亿美元MOU
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Samsung Electronics与Broadcom达成战略合作:到2030年推进超2000亿美元合作规模
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JEDEC上调HBM4封装厚度上限,Samsung Electronics与SK hynix重估HBM4混合键合导入时点
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SK hynix在纳斯达克挂牌ADR今起交易 拟募资最高约280亿美元加码资本开支
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Samsung Electronics第二季度营业利润89.4万亿韩元创新高,剔除相关计提后或破100万亿韩元
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Micron斥资93亿美元扩建广岛HBM工厂,瞄准AI内存产能提升
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SK hynix拟赴纳斯达克挂牌ADR,募资规模约45.4535万亿韩元
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SK hynix向主要客户送样12层HBM4E
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三星电子押注HBM4一体化供应,力图扭转市场被动局面
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Jensen Huang结束访韩行程:看好韩国Physical AI合作,呼吁加码风险投资
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Jensen Huang访韩四天密集会见韩国企业,合作版图覆盖HBM、AI数据中心与机器人