Samsung Electronics表示，公司HBM（高带宽内存）产能已被客户预订一空，2026年产能全部锁定，并已开始承接部分2027年需求。在4月30日举行的一季度业绩电话会上，公司进一步指出，2027年的供需缺口可能较2026年继续扩大。

公司称，当前HBM供应对应需求的满足程度处于历史低位。在库存维持紧平衡的情况下，可供出货的数量明显低于客户需求。与往年不同，部分客户因担忧后续供应趋紧，已提前提交2027年需求。Samsung Electronics认为，AI基础设施投资扩张正在从根本上改变内存市场的需求曲线。

从业绩贡献看，HBM业务正进入快速放量阶段。Samsung Electronics预计，2026年全年HBM营收将同比增长3倍以上，其中HBM4将成为最主要的增长动力。公司表示，HBM4已于今年2月率先实现量产出货，预计自今年三季度起，HBM4在整体HBM营收中的占比将超过50%；按2026年全年口径看，这一占比也将过半。

Samsung Electronics表示，HBM4的差异化性能正推动需求进一步集中。公司称，依托最先进的1纳米级工艺，HBM4性能规格得到提升，随着客户导入推进，性能优势也正逐步转化为更高的产品溢价。公司同时强调，既定HBM产能已全部锁定。

下一代产品准备也在同步提速。Samsung Electronics计划于二季度出货首批HBM4E样品，规格为单引脚速率16Gbps、带宽4.0TB/s。公司表示，将基于HBM4量产过程中积累的1纳米级技术竞争力，持续推进下一代产品的商业化准备。市场亦关注，HBM4E的性能规格或将成为SK hynix与Micron下一轮竞争格局中的关键变量。

供应紧张或延续至2027年

此次电话会传递出的核心信号是，HBM供应紧张并非短期现象。Samsung Electronics预计，考虑到新厂扩建所需周期，行业短期内新增供给仍将受到限制。公司分析称，随着Agentic AI加速普及、token处理量激增，内存需求正呈现结构性增长；与此同时，供给扩张本身需要时间，而旨在提升数据计算处理效率的新技术导入，反而进一步推动AI生态更快扩张。

景气回升也在重塑HBM的定价机制。由于HBM需要提前安排后段产能，行业通常按年度进行前置价格谈判，这与传统DRAM以季度议价为主的模式不同。尽管近期传统DRAM价格快速上涨，HBM与传统DRAM的利润率一度出现反转，但Samsung Electronics认为，随着HBM供需缺口持续扩大，这一差距到2027年有望明显收敛。

Samsung Electronics预计，二季度DRAM bit growth将环比实现中个位数增长。公司策略是在可用产能受限的情况下，继续围绕服务器需求优化产品组合。NAND方面，受上季度去库存带来的可用供应约束影响，预计二季度bit growth仅为低个位数增长。公司指出，当前供给约束同时存在于DRAM和NAND两条产品线。

与此同时，HBM与晶圆代工业务之间的协同也在增强。基于4nm工艺的HBM4 base die已获得性能认可，并带动相关4nm需求上升。市场对“同时获得内存与代工产能”的需求正变得更加明确。Samsung Electronics表示，公司正在积极评估扩大4nm供给的方案，HBM与代工结合的综合解决方案正逐步成为新的竞争维度。

在此背景下，2027年及之后新增产能的投放时点显得更为关键。若要满足公司已提前承接的2027年需求，还需同步扩建后段产线。对于内存行业而言，即便前段DRAM产能能够扩大，HBM所需的后段封装产线仍需额外建设时间。Samsung Electronics未披露具体扩产规模及时间表。

随着需求可见度延伸至2027年，内存业务利润波动有望趋于收敛。相较过去DRAM市场容易受到半年期价格波动影响，HBM以年度前置合同为主的特征，有助于提升整体收益结构的稳定性。