Samsung Electronics于29日宣布，已首次向全球客户提供HBM4E 12层堆叠产品样品。距离HBM4实现量产供货仅数月，公司已进一步推进下一代产品布局。Samsung Electronics表示，后续将根据客户进度推进HBM4E量产供货。

从性能来看，HBM4E单引脚速率为14Gbps，最高可达16Gbps，较上一代HBM4提升超过20%；单堆栈带宽最高可达3.6TB/s。容量方面，12层产品为48GB，较上一代提升超过30%。Samsung Electronics还计划后续推出32GB（8层）和64GB（16层）产品。

在效率与散热方面，Samsung Electronics表示，HBM4E能效较上一代提升16%，热阻表现改善超过14%。公司称，这主要得益于低功耗设计以及封装结构优化技术的应用。

在产品架构上，HBM4E沿用了HBM4采用的1c（10纳米级第6代）DRAM，并结合Samsung Electronics晶圆代工4nm逻辑芯片。由于相关配置已在HBM4量产过程中完成验证，业界认为，该产品后续导入量产的稳定性和可行性较高。Samsung Electronics表示，这一架构有助于同时保障工艺稳定性和良率。

Samsung Electronics今年2月已率先实现HBM4量产供货，目前正持续扩大对客户的供货规模。公司指出，在去年12月最终认证阶段进行的系统级封装（SiP）测试中，HBM4实现了11.7Gbps速度，并获得最高等级评价。全球客户也对HBM4在速度和功耗效率方面给予了积极反馈。

Samsung Electronics表示，公司将以覆盖存储、晶圆代工、系统LSI和先进封装的一站式解决方案为基础，持续提升供货稳定性。

Samsung Electronics存储事业部开发负责人、负责副总裁Hwang Sangjun表示：“在HBM4成功实现量产后，公司也顺利完成了下一代HBM4E样品供货，进一步巩固了技术领先地位。未来，我们将凭借更大的技术领先优势以及前瞻性的生产基础设施投资，推动全球AI内存市场增长。”