随着HBM（高带宽内存）堆叠层数向16层以上演进，封装键合路线的切换趋势正日益明朗。此前以热压键合（TC键合）为主的设备供应链，也开始出现围绕混合键合导入的调整信号。

据产业链消息，三大存储厂商正评估自HBM4及后续世代起，分阶段导入混合键合方案。主要原因在于，HBM堆叠层数越过16层后继续提升，现有键合方式在空间占用、封装厚度和信号传输方面的限制正逐步显现。不过，受制于成本压力，短期内更可能采取Advanced MR-MUF与混合键合并行推进的方式。

设备端也在同步调整。当前HBM用TC键合设备市场中，Hanmi Semiconductor此前几乎独占SK hynix相关供应份额，近期Hanwha Semitech也已作为SK hynix新增供应商进入。混合键合设备方面，全球封装设备厂商ASMPT和BESI已在晶圆代工客户供货中积累了一定经验。后续存储厂何时导入、选择哪家设备厂商作为量产伙伴，都可能改变现有供应格局。

此次技术切换的核心，在于芯片之间的连接方式。传统TC键合是在芯片间设置微凸点，再通过加热加压完成键合。该方案工艺相对成熟、稳定性较高，但微凸点会占用额外空间。随着堆叠层数增加，封装总厚度更难控制，信号传输路径也会拉长，相关限制在高层数HBM上愈发明显。

相比之下，混合键合是在无凸点结构下，直接实现铜互连与绝缘层的键合。该工艺有助于进一步减薄芯片，在相同高度下实现更多层堆叠，同时在数据传输速度、能效和发热控制等方面具备优势。不过，混合键合对表面平坦度要求极高，需要进行原子级平坦化处理，良率爬坡难度也更大。

这一趋势也体现在SK hynix近期的技术表态中。4月28日，SK hynix技术负责人Kim Jonghoon在首尔举行的一场半导体会议上表示，公司已完成混合键合在12层HBM上的技术验证，量产所需良率较两年前已有明显改善。但由于成本竞争力仍是待解课题，SK hynix计划在16层HBM3E之前继续采用Advanced MR-MUF工艺。

从设备厂商的布局来看，各家路径已开始分化。Hanmi Semiconductor作为TC键合设备强势厂商，正加快推进混合键合设备开发；Hanwha Semitech则以切入SK hynix供应链为基础，寻求扩展下一代设备产品线。ASMPT和BESI凭借在晶圆代工客户中的供货经验，也被视为具备进入存储市场的可能。首批量产合作伙伴一旦确定，后续订单流向也可能随之生变。

与此同时，基础芯片也成为另一项变量。这里所指的是HBM最底层的逻辑芯片。SK hynix自HBM4起将该芯片的制造交由TSMC负责。Eugene Investment & Securities在近期报告中指出，HBM4首次引入基础芯片外包生产后，量产稳定化进程一度受到拖累，而这一问题有望在HBM4E阶段明显改善。随着部分后道环节转移至中国台湾完成，韩国本土设备厂商的受益范围也可能受到影响。

整体来看，HBM键合技术的切换难以在短期内一步到位，更可能按产品世代分阶段推进。Eugene Investment & Securities预计，2027年HBM价格谈判在综合考虑通用DRAM和NAND利润率后，仍将维持在较高水平。对存储厂商而言，盈利能力、量产爬坡速度与键合技术切换节奏将相互影响，设备供应链的变化也将同步展开。