SK hynix正加快面向AI加速器市场的新一代HBM产品布局。该公司18日表示，已向主要客户送样下一代超高性能DRAM产品——12层HBM4E。
HBM4E是高带宽存储器（HBM）的新一代产品，通过多层堆叠提升数据处理能力。与上一代HBM4相比，HBM4E在性能和能效方面均有所提升，每引脚数据传输速率最高可达16Gbps，能效提高逾20%。公司表示，该产品将主要用于满足AI训练和推理对更高带宽与更高能效的需求。
SK hynix称，HBM4E通过升级接口并优化设计，进一步降低了数据传输延迟，并在高带宽环境下保持稳定运行。公司预计，该产品将有助于提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。
在封装工艺方面，HBM4E采用了Advanced MR-MUF技术，即在芯片堆叠后注入并固化保护材料的工艺方案。借助这一技术，SK hynix在12层堆叠规格下实现了48GB容量，同时将热阻较HBM4降低约17%，有助于提升高性能计算环境下的运行稳定性。
SK hynix开发负责人Ahn Hyun表示，公司已将此前积累的领先技术实力和量产能力延续至HBM4E产品，并以此为持续引领AI创新打下基础。他还表示，公司将继续基于与合作伙伴的协作，提前满足市场需求，进一步巩固公司“全栈AI内存”技术领导地位。
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Daegeon Seok
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