韩国半导体出口继续走强，但对华半导体设备出口却出现回落。在半导体成品出口高增长的同时，设备贸易增速放缓，折射出中韩半导体产业链交易结构正在发生变化。

韩国关税厅数据显示，6月韩国半导体出口额同比大增196.9%，达到449.5亿美元，单月首次突破400亿美元，并连续16个月保持增长。进入7月后，这一增长势头仍在延续。韩国关税厅21日公布的7月1日至20日进出口数据显示，同期半导体出口额为221.13亿美元，同比大幅增长，半导体占韩国出口总额的比重也由去年同期的21.9%升至40.3%。

不过，与成品出口的强劲表现相比，半导体设备贸易并未同步升温。6月韩国对华出口中，存储芯片出口同比激增339.5%，而半导体设备出口却同比下降1.9%，呈现明显分化。

进口端同样释放出类似信号。6月资本品进口中，存储芯片进口增长146.5%，而半导体设备进口增幅仅为51.4%。7月1日至20日的暂估数据也显示，半导体进口同比增长54.9%，半导体设备进口增长56.9%。整体来看，芯片贸易规模快速扩大，但设备贸易的扩张力度相对有限。

市场普遍认为，这一变化与中国加快后道工艺设备国产化有关。在美国持续收紧极紫外（EUV）和深紫外（DUV）等先进光刻设备出口限制后，中国正将更多资金和人力投入限制相对较少的后道工艺环节，重点发展以Chiplet和先进3D封装为核心的技术路线，通过多芯片互连提升性能，而非单纯依赖制程微缩。

在这一技术路径中，混合键合（Hybrid Bonding）被视为关键环节。半导体性能提升通常有两种方式：一是通过制程微缩，在单颗芯片上集成更多电路；二是通过堆叠和互连多颗芯片，提升整体性能。由于先进光刻设备受限，中国正加快转向后者。

混合键合的核心在于将芯片之间的铜（Cu）互连与绝缘层直接对准贴合，从而显著提高I/O密度。这项工艺被认为是高带宽存储器（HBM）和AI加速器等高数据吞吐芯片的重要基础技术。

这一技术之所以受到关注，也与传统封装工艺的瓶颈有关。过去，芯片之间主要通过“bump”微凸点进行信号连接，但随着集成度不断提高，凸点间距缩小正逐步逼近物理极限，同时还伴随信号延迟和散热压力。相比之下，混合键合省去凸点，可实现芯片贴合，有助于降低接合厚度并提高集成度，被视为下一代先进封装的重要工艺。尤其随着HBM4引入混合键合的讨论升温，该技术的重要性进一步上升。

中国加快后道设备国产替代

中国在后道工艺环节的国产化布局并不局限于混合键合。业内消息称，中国正推动包括TSV（硅通孔）刻蚀、CMP（化学机械抛光）在内的后道工艺设备本土化。TSV主要用于在晶圆内部形成垂直通道，实现上下层互连；CMP则用于对芯片表面进行高精度平坦化处理。

报道称，NAURA正在向中国本土市场供应沉积和刻蚀设备，Hwatsing则供应CMP设备，并持续扩大市场份额。整体来看，中国正逐步补齐后道工艺所需的关键设备能力。

对于韩国材料、零部件和设备企业而言，风险在于，随着中国国产替代持续推进，其在华业务空间可能进一步收缩。过去，韩国中小及中坚材料、零部件和设备企业长期向中国封装及后道代工（OSAT）企业供应设备和材料。但如果中国在混合键合、TSV、CMP以及检测设备等后道价值链上逐步建立起本土供应链，韩国企业在中国半导体供应体系中的存在感可能被削弱。

此外，在政府补贴支持下，如果中国设备厂商在混合键合等下一代技术上取得突破，韩国材料和设备企业在全球OSAT市场以及中低端封装领域的价格和技术优势也可能受到冲击。文章指出，在韩国后道产业仍主要集中于热压键合（TC）等既有技术的情况下，一旦中国在新一代键合技术上迅速缩小差距，韩国相关企业将面临更大的应对压力。

业内人士表示，短期半导体景气度上行，在一定程度上掩盖了设备和材料领域正在出现的结构性变化，后续仍需持续关注中国后道工艺设备国产化的推进速度。