Industry

HBM堆叠冲向16层以上，三大存储厂评估自HBM4起导入混合键合

随着HBM堆叠层数向16层以上演进，存储厂商正加快评估自HBM4及后续产品导入混合键合，以应对厚度控制和信号传输方面的瓶颈。受成本与良率因素影响，Advanced MR-MUF短期内仍可能继续沿用。与此同时，量产合作伙伴的选择也可能重塑TC键合与混合键合设备的供应格局。

Industry

CXMT加快HBM3量产布局，韩国存储厂商中低端利润承压

中国存储厂商CXMT正加快切入高带宽内存（HBM）市场，计划将约20%的总产能、即每月约6万片晶圆用于HBM3生产，并已向Huawei等中国AI芯片开发企业送样。尽管量产进度和良率仍存在不确定性，但其产能重新配置叠加低价策略，可能对HBM3及以下产品和通用DRAM市场带来新的价格压力，进而压缩韩国存储厂商中低端产品的利润空间。