市场预计，2026年第一季度DRAM合约价将较上一季度大幅上涨90%至95%。在供给持续偏紧的基础上，中东局势带动油价走高，也为存储价格上行增添了新的成本支撑，涨势或延续至下半年。

TrendForce数据显示，第一季度DRAM合约价涨幅预期已由此前的55%至60%上调至90%至95%。其中，PC DRAM预计涨幅将超过100%，创下单季历史新高。相比之下，2025年第四季度DRAM合约价仅上涨8%至13%，这意味着本季度涨幅明显扩大。服务器DRAM预计涨幅也将超过60%；NAND Flash涨幅预期则由33%至38%上调至55%至60%。在NAND产品中，客户端SSD预计环比涨幅超过40%，为涨幅最大的品类。

这一轮价格上涨的核心驱动，来自AI服务器需求快速增长。随着HBM3e订单增加、规格持续升级，产能进一步向高端产品倾斜，通用DRAM的供应空间被压缩。与此同时，韩国供应商有意放缓议价节奏，以争取更大的利润空间。TrendForce指出，HBM3e价格预期也已由此前的下跌转为上涨。为应对后续涨价，OEM厂商提前备货，短期需求因此进一步抬升，库存水平则持续回落。

除供需因素外，油价上涨也开始从成本端对行业形成新的压力。2月末美国与以色列对伊朗发动空袭后，布伦特原油价格一度由每桶66美元飙升至接近120美元。尽管此后随着停火讨论出现而有所回落，但仍较空袭发生前高出40%以上。国际能源署（IEA）认为，霍尔木兹海峡通行量若大幅减少，可能造成史上最大规模的供应中断，并预计3月全球石油供应将减少800万桶/日。

值得关注的是，油价上行将直接推高半导体制造成本。国际半导体设备与材料协会（SEMI）表示，大型晶圆厂的用电负荷约为100MW，规模相当于可为约5万户家庭供电。McKinsey分析指出，晶圆厂运营成本中，电力成本占比会随地区电价水平在5%至30%之间波动，大型晶圆厂年电费最高可达2500万美元（约360亿韩元）。中国台湾与中国大陆分别向晶圆厂提供30%、最高70%的电力补贴；相比之下，欧洲能源价格则高于美国2至3倍，油价带来的成本压力因此呈现明显的区域差异。

◆存储价格下行空间收窄，下半年成关键观察窗口

对韩国晶圆厂而言，由于政府补贴水平低于中国台湾与中国大陆，能源成本上升带来的冲击更为明显；但从存储供应商的角度看，这反而构成了进一步提价的支撑。再加上韩国对LNG进口依赖度较高，油价上涨通常会在2至3个月后传导至工业电价，成本压力将进一步放大。除电力之外，特种气体和化学材料的物流费用也与油价联动，预计将继续推升整体制造成本。

在供应偏紧已推动价格明显上行的情况下，若制造成本同步抬升，供应商进一步降价的意愿也将减弱。最终，Samsung Electronics、SK hynix等厂商的议价能力有望进一步增强，而服务器、PC等OEM企业则将面临更大的零部件采购成本压力。

TrendForce还指出，当前DRAM现货价格高于合约价格，第二季度合约价仍存在继续上调的空间。由于第二季度价格谈判尚未启动，市场观望情绪依然较浓；但在现货价格对合约价格上沿形成支撑的情况下，价格转入下行的可能性相对较低。

后续的关键变量，在于高油价持续的时间。如果只是短期冲击，对成本端的影响或相对有限；但若油价长期维持高位，电力成本上调将更充分地反映到产业链中，存储价格的结构性上行周期也可能被进一步拉长。有行业人士表示，这是“需求拉动与成本推动同时作用的罕见阶段”。在AI服务器对HBM和DDR5需求持续增长、不断挤压通用DRAM产能的同时，油价上涨又推高了电力和物流成本，行业成本结构正在发生变化。