Industry

SK hynix发布iHBM技术：在HBM封装内嵌散热结构

SK hynix发布新一代HBM散热技术iHBM，将一体化冷却元件嵌入HBM封装内部，并在D2D PHY等高发热区域单独构建散热通道。公司表示，该结构可将热阻较现有方案降低30%以上，并可基于已验证的MR-MUF工艺导入量产，计划自HBM5等后续产品起逐步应用。

AI & Enterprise

Intel公开ZAM垂直堆叠存储技术，瞄准HBM替代方案

Intel计划通过将在VLSI会议上发表的论文介绍Z Angle Memory（ZAM）技术。这是一种采用9层垂直堆叠和融合键合工艺的新型存储方案，目标是在提升带宽的同时降低功耗。该技术由日本Saimemory Corporation推进商业化，性能据称可达到HBM3的2至3倍，但量产验证和生态竞争仍存不确定性。