随着NVIDIA宣布下一代AI芯片“Rubin”启动量产，HBM4供应链竞争正在迅速升温。市场普遍认为，SK hynix大概率已锁定首批供货资格，但在后续大规模量产阶段，市场格局仍可能出现变化。业界普遍将2月视为关键时间点，届时Samsung Electronics能否进入供应链，或将更为明朗。

接替Blackwell的新一代GPU架构Rubin提前进入量产节奏，也让HBM4供应战明显提速。当地时间1月5日，NVIDIA CEO Jensen Huang在CES 2026上发布下一代AI计算架构Rubin，并宣布正式启动量产。考虑到NVIDIA过往多在3月至4月的GTC开发者大会上发布新品，此次将节奏提前至1月，也引发市场对首批供应商名单基本确定的猜测。

从首批供货格局来看，SK hynix目前更被市场看好。SK hynix曾于去年9月宣布，已率先完成HBM4开发并建成量产体系。公司当时表示，HBM4将引领新一代AI时代，并借此进一步巩固其在全球AI存储市场的技术领先地位。

据SK hynix介绍，HBM4的I/O数量较上一代翻倍至2048个，带宽提升至原来的两倍，能效提升超过40%。在制造方面，公司表示，量产将采用自有MR-MUF先进工艺以及10纳米级第五代（1b nm）DRAM技术，以尽可能降低量产风险。

目前，市场关注的关键窗口集中在2月。由于从初期量产（Initial Production）过渡到大规模量产（HVM）本身存在时间差，仅靠首批出货难以满足全球大型科技企业需求，因此2月被视为提升产线良率、扩大供给能力的重要节点。届时，Samsung Electronics能否切入供应链，预计也将逐步明朗。

对Samsung Electronics而言，2月几乎可视为其能否跻身HBM4大规模量产阵营的关键窗口期。Micron近期在财报电话会上表示，已完成包括HBM4在内的2026年全年HBM价格和供货量合同签订，并预计HBM4将在2026年第二季度进入实质性量产阶段。Micron同时预计，相较HBM3E，HBM4的良率提升速度会更快，并给出2028年HBM总可服务市场（TAM）达到1000亿美元的预测，高于2024年整个DRAM市场规模。

不过，Samsung Electronics仍存在后来居上的空间。当前TSMC先进封装产线处于瓶颈状态，成为重要变量之一。若Samsung Electronics能够提出HBM4与封装协同的一体化供货方案，在SK hynix供给不足的情况下，仍有机会承接新增需求。

SK hynix与Samsung Electronics围绕HBM4大规模量产展开角力

对于SK hynix而言，大规模量产阶段的不确定性同样不容忽视。SK hynix去年12月24日通过新闻中心发布《就半导体工厂投资作出说明》称，半导体工厂建设最关键的不只是投资金额，更在于能否更快筹措资金并及时作出投资决策；若能像日本案例那样，由政府和民间通过多种方式快速筹资，工厂从建设到投产的周期将大幅缩短。

上述表态表面上是在强调投资监管环境有待改善，但也在一定程度上反映出公司对HBM4大规模量产阶段扩产速度可能落后于竞争对手的担忧。以1万坪洁净室为基准，相关投资成本已从2019年的约7.5万亿韩元，升至以2025年清州M15X为基准的约20万亿韩元，融资速度也因此将直接影响市场份额变化。

在全球AI基础设施需求快速增长的背景下，HBM竞争已不同于以往，胜负不再仅由首批供货决定。这也意味着，SK hynix在HBM市场的领先优势，到了大规模量产阶段未必能够稳固。市场普遍认为，Rubin平台后续导入比例将成为决定下一阶段市场主导权的重要变量。

随着HBM4需求在第二季度后加快释放，谁能更快建立稳定的大规模量产体系，将成为竞争关键。SK hynix能否延续今年的领先优势，抑或Samsung Electronics能否迎来反超契机，2月都将是重要分水岭。有业内人士指出，HBM4竞争已从单纯比拼技术实力，转向更强调生产速度的较量；2月之后，谁能率先建立稳定的大规模量产体系，谁就更有可能左右全年业绩表现。