SK hynix于28日发布业绩公告，2025年第四季度实现营收32.8267万亿韩元，营业利润19.1696万亿韩元，分别环比增长34%和68%，营业利润率达到58%。

公司表示，四季度业绩增长主要受HBM和服务器DRAM需求旺盛带动。受益于两大核心业务表现强劲，公司单季营收和营业利润双双创下新高。

SK hynix称，在以AI为中心的市场需求重构过程中，公司持续强化技术竞争力，提升高附加值产品比重，并同步改善盈利能力和成长性。公司强调，2025年的业绩再次印证了其在全球存储芯片市场的技术领先地位。

从全年表现看，SK hynix实现营收97.1467万亿韩元，营业利润47.2063万亿韩元，净利润42.9479万亿韩元；全年营业利润率和净利润率分别为49%和44%。公司表示，全年营收、营业利润和净利润均创历史新高。

与2024年相比，SK hynix全年营收较66.1930万亿韩元增加逾30万亿韩元，营业利润则由23.4673万亿韩元提升至约两倍水平，增长幅度明显扩大。

分业务来看，DRAM业务中，HBM全年营收同比增长超过两倍。与此同时，公司推进10纳米级第6代DDR5规模量产，并完成基于10纳米级第5代32Gb芯片的256GB DDR5 RDIMM开发，进一步拓展服务器模组产品布局。

在NAND业务方面，尽管上半年市场需求偏弱，公司仍完成321层QLC产品开发，并在下半年积极承接企业级SSD需求，带动全年NAND营收刷新历史纪录。

HBM4已按客户需求启动量产，持续扩充AI存储产品线

SK hynix判断，AI市场正由训练为主逐步转向推理为主。公司预计，随着分布式架构需求扩大，存储器的重要性将进一步提升，除HBM外，服务器DRAM和NAND等整体存储需求也将持续增长。

公司表示，2025年9月完成量产体系搭建的HBM4，已按客户需求启动量产。SK hynix还称，公司是业内唯一能够同时稳定供应HBM3E和HBM4的企业。面向下一代定制化HBM市场，公司计划进一步加强与客户及合作伙伴的协作，提供更具竞争力的产品。

在标准DRAM方面，SK hynix将加快向1c纳米工艺切换，并扩充SOCAMM2、GDDR7等AI存储产品组合。NAND方面，公司将通过向321层产品转换提升竞争力，同时依托Solidigm的QLC企业级SSD，满足AI数据中心不断增长的存储需求。

产能扩张也将同步推进。SK hynix表示，将尽快释放清州M15X产能，并通过龙仁一期晶圆厂建设，在中长期稳步扩大生产基础。与此同时，清州P&T7以及美国印第安纳先进封装工厂也在按计划推进，目标是完善覆盖前道和后道的一体化全球制造体系。

在股东回报方面，公司公布了创纪录规模的回馈方案。按计划，SK hynix将每股追加分红1500韩元，期末分红增至每股1875韩元；2025财年全年分红总额为每股3000韩元，合计约2.1万亿韩元。与此同时，公司将注销全部1530万股库存股，占总股本的2.1%。按27日收盘价计算，对应规模约12.2万亿韩元。公司表示，此举旨在提升每股价值和股东价值。

SK hynix Corporate Center社长Song Hyun-jong表示，公司将在差异化技术竞争力基础上保持可持续的业绩增长，并在未来投资、财务稳健和股东回报之间维持平衡。他还表示，SK hynix将从单纯的产品供应商进一步升级为满足客户AI性能需求的核心基础设施合作伙伴。