SK hynix于26日发布iHBM技术，在HBM封装内部嵌入一体化冷却元件，强化高带宽存储器的散热能力。随着AI算力需求持续增长，HBM的堆叠层数和传输速度不断提升，热管理正成为下一代存储技术演进的关键课题。
据介绍，现有HBM的散热主要依赖热量通过核心芯片向外传导，属于相对间接的散热方式。而在HBM中，发热最集中的区域位于基底芯片与AI加速器芯片之间的物理连接部位，即D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）区域。iHBM则在这一高发热区域嵌入ICE（Integrated Cooling Elements），单独构建散热通道。该元件采用不导电但导热性能较高的硅材料制成。
SK hynix表示，采用这一封装结构后，热阻较现有方案可降低30%以上，并可在高温、高负载环境下保持稳定运行。公司认为，在高集成、高带宽应用场景中，降低发热密度对于提升散热效率和系统寿命具有重要意义。
在量产方面，iHBM将基于已在市场上得到验证的MR-MUF工艺，并导入晶圆级封装（WLP）流程。MR-MUF工艺通过向堆叠芯片间隙注入并固化保护材料来完成封装。SK hynix称，该方案可较好兼容客户现有的SiP（系统级封装）设计环境，无需进行大规模设计调整即可导入。
根据规划，SK hynix将从HBM5等后续产品开始，逐步应用iHBM技术，以满足HPC、AI数据中心等超高集成、超高带宽场景对热管理的需求，并进一步提升系统整体稳定性和运行效率。
SK hynix负责封装（PKG）开发的副社长Lee Kang-wook表示：“iHBM是结合存储器设计能力与先进封装技术开发的热管理解决方案。公司将提前向客户提供AI时代所需的产品价值，进一步巩固在AI存储市场的领先地位。”
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Dae-geon Seok
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