【Seok Dae-geon】SK hynix 2025年营业利润同比增长101%，达到47.2063万亿韩元。在HBM收入同比增长逾两倍的带动下，公司单季业绩也刷新历史纪录。受AI存储需求持续扩张推动，DRAM和NAND价格同步走强，其中DRAM平均销售价格环比上涨20%多，NAND平均销售价格环比上涨30%多。

SK hynix于1月29日在业绩电话会议上披露，2025年第四季度实现营收32.8267万亿韩元，环比增长34%，同比增长66%；营业利润19.1696万亿韩元，环比增长68%，同比增长137%，营业利润率为58%，创下单季历史新高。

按全年计算，SK hynix 2025年实现营收97.1467万亿韩元、营业利润47.2063万亿韩元，分别同比增长47%和101%。

公司表示，围绕AI带动的需求结构变化，SK hynix通过强化技术竞争力、提升高附加值产品占比，进一步增强了盈利能力和增长动能，并再次证明了其全球领先的技术实力。

HBM收入大增，AI存储市场领先地位进一步巩固

从业务表现看，业绩增长的核心动力来自HBM和服务器内存需求扩张。在DRAM业务中，HBM收入同比增长逾两倍，HBM3E 12层产品销量大幅提升，推动DRAM全年营收和营业利润双双创下历史新高。

第四季度，受HBM3E 12层产品和服务器用DDR5销量增长带动，DRAM出货量实现小幅增长。其中，高容量DDR5模组出货量环比增长约50%，反映出AI和HPC相关需求持续扩大。在通用DRAM价格上涨带动下，DRAM平均销售价格环比提升20%多。

SK hynix企业中心负责人 Song Hyun-jong 表示，公司是业内唯一能够稳定量产HBM3E并推进HBM4的企业。除技术优势外，公司还具备经过验证的品质保障和量产能力，因此持续获得客户信赖。

对于HBM4，公司表示，自去年9月建立量产体系以来，已按客户要求的数量组织生产。公司称，基于现有产品所采用的1b纳米工艺，HBM4也已实现客户要求的性能目标；同时将依托自研封装技术Advanced MR-MUF，确保良率达到HBM3E 12层产品水平。

在通用DRAM方面，公司已全面量产具备行业领先性能和成本竞争力的1c纳米DDR5，并基于1d纳米32Gb产品开发出业内最大容量的256GB DDR5 RDIMM，进一步巩固其在服务器模组市场的主导地位。

NAND业务方面，公司在去年上半年需求疲弱的情况下完成了321层QLC产品开发，并在下半年积极应对以企业级SSD为主的需求回升，推动全年营收创下新高。

其中，第四季度NAND出货量在移动端和企业级SSD需求增长带动下，增幅高于此前指引，约增长10%；受价格涨幅扩大推动，NAND平均销售价格环比上涨30%多。

NAND营销负责人 Song Chang-seok 表示，随着AI对数据处理提出更精细、更高速的要求，高性能、大容量企业级SSD需求正出现结构性增长。尤其在以GPU为中心的服务器架构中，SSD正逐步演变为承担关键计算链路作用的重要设备。

公司计划加快向321层产品切换，以最大化产品竞争力；同时借助Solidigm的QLC企业级SSD，满足AI数据中心的存储需求，并通过开发下一代245TB产品，抢占AI应用扩张带来的超大容量存储市场。

财务状况明显改善，转为净现金状态

在创纪录业绩支撑下，SK hynix财务状况显著改善。截至2025年末，公司现金及现金等价物为34.9万亿韩元，较上年末增加20.8万亿韩元；借款规模为22.2万亿韩元，较上年末减少0.4万亿韩元。

公司借款比率降至18%，较上年明显回落，并已转为净现金状态。财务负责人 Kim Woo-hyun 表示，公司财务管理的目标，是即便在景气波动时期也能维持稳定运营，并持续保有足以支撑核心竞争力投资所需的适度现金水平。

对于市场前景，公司判断，今年AI市场正快速由“训练主导”转向“推理主导”。Song Hyun-jong 表示，随着算力负载向高性能服务器集中，整体架构也在向分布式方向演进，提升包括数据移动和存储在内的系统整体效率正变得愈发关键，内存在这一过程中所扮演的角色也比以往更加重要。

公司预计，除HBM等高性能存储产品外，服务器用DRAM和NAND等整体存储需求也将持续扩大。在AI推理需求扩散带动下，今年服务器整机出货量预计将实现接近20%的增长。

不过，受零部件成本上升和消费信心走弱影响，PC和移动端市场短期内仍可能出现出货调整。公司预计，尽管服务器市场将带动存储需求明显增长，但受供给侧整体产能约束影响，今年DRAM需求增速或仍在20%以上，NAND需求增速则可能维持在接近20%的水平。

在产能布局方面，公司表示，将根据市场情况推进扩产，争取尽快实现清州M15X产能最大化，并通过龙仁一期晶圆厂建设夯实中长期生产基础。

同时，公司还将推进清州P&T7及美国印第安纳先进封装工厂的筹备工作，构建覆盖前道与后道的全球一体化制造体系。今年公司将推动M15X尽快满产，并加快向1c纳米DRAM和321层NAND等先进工艺切换。

Kim Woo-hyun 表示，受产能扩张和基础设施投资影响，2026年CAPEX规模预计将较上年明显增加，但公司仍将坚持CAPEX纪律，综合考虑需求可视性和投资效率，并计划把CAPEX占营收比重控制在30%中段水平。

Song Hyun-jong 表示，公司将继续凭借差异化技术竞争力推动业绩持续增长，同时在未来投资、财务稳健和股东回报之间保持最佳平衡，并进一步从单纯的产品供应商，升级为满足客户AI性能需求的核心基础设施合作伙伴。