ロイターは28日（現地時間）、中国最大のDRAMメーカーであるCXMTが、低い歩留まりのままでもAI向け高帯域幅メモリ（HBM）「HBM3E」の生産に乗り出すと報じた。
報道によると、CXMTは中国のAIチップ設計企業にHBM3Eのサンプルを送付しており、2カ月以内に小規模生産を始める予定だ。歩留まりは20〜30%にとどまっているという。歩留まりは良品率を示す指標で、SK hynixは約70%とされる。
ロイターは、今回の判断について、中国国内でAI向けメモリ不足が深刻化している現状を映す動きだと伝えた。
歩留まりが低いと、廃棄や再加工が必要なチップが増え、生産コストは上昇しやすい。CXMTのHBM3Eも、競合製品より割高になる見通しだ。ロイターは先月、HuaweiやCambrianなど中国のAIチップ企業が、メモリコストの上昇を受けてAIチップの価格を20〜50%引き上げたと報じている。
Counterpoint Researchによると、2026年第2四半期の世界HBM売上高シェアは、SK hynixが50%、Samsung Electronicsが33%、Micronが18%だった。一方、CXMTの同時期のDRAM売上高シェアは10%で、世界4位だった。
ロイターは、米国の輸出規制で先端半導体製造装置の確保が難しい中、CXMTが先行各社との差を縮めるのは容易ではないと伝えた。
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Chi-gyu Hwang
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