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Samsung Electronics布局zHBM:拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方
为重夺HBM主导权,Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层,将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方,目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过,其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现,业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。
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AMAT:AI芯片瓶颈不在算力,在数据移动,3D微缩成关键路径
AMAT表示,AI芯片性能提升的关键已不只是算力,更在于数据移动效率。面对“内存墙”带来的系统瓶颈,行业正围绕逻辑、DRAM、HBM及2.5D/3D封装全面推进3D微缩,并推动HBM堆叠由微凸点向混合键合演进。公司同时公布,2026财年第三财季营收为91.2亿美元,同比增长25%。
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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局:zHBM押注3D堆叠,HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力,Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM,以缓解数据搬运瓶颈;后者则联合SanDisk发布HBF首个标准,通过分层部署并互联不同类型存储,提升系统容量与整体效率。
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Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND,并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
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SK hynix与十余家客户签署长期供货协议 继续磋商2027年HBM供货与定价
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韩国半导体出口创月度新高 对华半导体设备出口回落
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中国高纯钨出口管制趋严,WF6供给波动加剧HBM与AI芯片供应链压力
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Applied Materials推6款新设备,发力HBM与Chiplet良率提升
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AI & Enterprise
Intel公开ZAM垂直堆叠存储技术,瞄准HBM替代方案
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SK hynix将亮相NVIDIA GTC 2026,展示HBM4并洽谈AI合作
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Rambus推出HBM4E内存控制器IP,缓解AI带宽瓶颈
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据传NVIDIA Rubin CPX或改用HBM,GDDR7方案再添变数
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TeraView获晶圆代工厂和智能手机厂商追加采购EOTPR设备
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HBM推动FOUP重要性上升,清洗与湿度控制需求走强
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Samsung Electronics率先量产并出货HBM4,预计2026年HBM营收较2025年增长3倍以上
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韩国科学技术信息通信部加快布局AI芯片半导体先进封装人才培养
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Industry
CoAsia Semi开始供应3D IC封装SoC产品,进军先进封装领域
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SK hynix回顾HBM研发20年,新书《Super Momentum》出版