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日本团队开发激光写入磁存储新材料：写入速度最高可达现有技术1000倍

日本量子科学技术研究开发机构（QST）联合兵库县立大学等机构开发出一种可通过激光脉冲改写磁存储状态的新材料。研究团队表示，该材料有望将写入速度提升至现有磁存储技术的最高1000倍，并降低功耗。其关键在于采用三层人工亚铁磁结构，在实现“光学翻转”的同时保留现有磁存储材料水平的稳定性。团队认为，该技术可应用于AI和数据中心等场景，但距离商用仍需完成器件验证、长期稳定性测试及量产工艺完善。