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中国团队称2D半导体外延生长速度提升约1000倍 迈向晶圆级制备

中国国防科技大学与中国科学院金属研究所联合提出一种新的2D半导体外延生长方案。研究通过重构化学气相沉积（CVD）工艺，并采用液态金-钨双层基底，使单原子层钨硅氮化物薄膜生长速度较传统方法提升约1000倍，薄膜尺寸达到约1.4×0.7英寸。不过，该成果目前仍停留在实验室阶段，距离无缺陷晶圆级量产和成本可控仍有差距。

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主权AI崛起带动第二波芯片需求，AI算力采购由GPU扩展至全栈

随着国家和公共部门推进“主权AI”，其正成为继超大规模云厂商之后AI芯片市场的重要新增需求来源。需求结构也不再局限于GPU，而是进一步扩展至CPU、内存和封装等全栈环节。机构预计，NVIDIA 2026财年主权AI相关收入将超过300亿美元；Gartner则预计，到2030年全球AI云市场规模将达2670亿美元，其中面向主权需求的新型云占比将达到20%。