SK hynixが、米株式市場で約45兆ウォン規模の資金調達に踏み切る。米ナスダック市場へのADR上場を通じて海外投資家への接点を広げるとともに、大規模な半導体投資の原資を確保する狙いだ。

SK hynixは6月24日、45兆4535億ウォン規模の新株を裏付けとする預託証券（DR）を発行すると開示した。発行株数は1779万株、発行価格は1株当たり255万5000ウォン。上場先は米ナスダックで、7月10日の上場を予定している。最終的な調達額は、需要予測を経て募集総額が確定した後に決まる。

発行方式は第三者割当。新たに発行する普通株を海外の預託機関に預け、その原株を裏付けとして米国預託証券（ADR）を発行し、海外の機関投資家などに割り当てる。ADRは、外国企業が米市場で株式に準じる形で売買できるようにする証券で、SK Telecom、POSCO Holdings、KTなどにも発行例がある。国内上場を維持したままでも、米投資家の売買機会を広げられる点が特徴だ。

同社はこれに先立ち、3月25日にADR上場に向けた公募登録申請書を米証券取引委員会（SEC）に提出し、ナスダック上場の手続きに入っていた。一方で、米国市場への上場に伴い米証券取引法の適用を受けるため、集団訴訟リスクの高まりを懸念する見方もリスク要因として指摘されている。

それでも、市場ではADR上場への期待がすでに株価に織り込まれてきたとの見方が出ている。SK hynixの株価は年初来で341.9％上昇し、同期間のSamsung Electronicsの197.7％を大きく上回った。

6月22日には、普通株ベースの時価総額が2084兆6544億ウォンとなり、Samsung Electronicsの2084兆1983億ウォンを4561億ウォン上回った。これを受け、KOSPIの時価総額首位が約25年7カ月ぶりに入れ替わったとの見方が広がった。ただ、Samsung Electronicsはその後、優先株を含めた合算時価総額は2252兆ウォンで自社が首位だとする訂正資料を公表し、算定基準を巡る議論も起きた。

今回の資金調達は、SK hynixの投資サイクル本格化とも重なる。同社は調達資金を、龍仁半導体クラスター第1期ファブの建設、清州P&T7先端パッケージングファブの建設・設備投資、極端紫外線（EUV）露光装置などの導入に充てる予定だとしている。

こうした大型投資の方針は、中長期の財務目標とも連動する。SK hynixのクァク・ノジョン社長は3月の株主総会で、純現金100兆ウォン以上の確保を中長期の財務目標として示した。昨年末時点の純現金は12兆7000億ウォン水準で、これを8倍超に引き上げる構想となる。クァク社長は当時、「いかなる環境でも、長期的・戦略的に必要な投資を執行し、競争力を確保する」と述べていた。

同社は、投資拡大と株主還元を並行して進める方針も示している。2025年業績を踏まえ、追加配当と自社株消却を含む総額14兆ウォン規模の株主還元を実施した。1株当たり1500ウォンの固定配当に加え、1500ウォンの追加配当を実施し、保有自社株の2.1％を消却した。

大規模投資の柱の一つであるHBM事業も計画通り進んでいる。会社によると、HBM4は昨年9月に世界で初めて量産体制を整えて以降、顧客向けサンプル供給と最適化を進めている。次世代製品のHBM4Eについても、年内のサンプル提供を目標に開発を進めているという。