Samsung Electronicsは23日、JEDECの新たな組み込みストレージ規格「UFS 5.0」を業界で初めて開発したと発表した。オンデバイスAIの普及でモバイル機器向けストレージの高性能化が進む中、2026年10〜12月に量産を開始する。
新製品は第9世代V-NANDを採用した。シーケンシャル読み出し速度は10.8GB/s、シーケンシャル書き込み速度は9.5GB/sで、Samsung Electronicsによると、UFS 4.1と比べて読み書きともに約2倍の性能になるという。
電力効率も高めた。未使用回路へのクロック供給を止めるクロックゲーティング技術と、回路ごとに最適な電圧を適用するマルチ電圧技術を新たに採用。これにより、UFS 4.1比で電力効率を40％以上改善したとしている。
パッケージサイズは横7.5mm、縦13mm、高さ0.9mm。前世代品に比べて16.7％小型化した。最大1TBの容量を用意し、スマートフォンに加え、XRヘッドセットやAIウェアラブルなど幅広い次世代機器への搭載を想定した設計とした。
量産は2026年10〜12月に開始する。まずはフラッグシップスマートフォン向けに投入し、その後はXRヘッドセットやAIウェアラブルなど次世代機器へ供給を広げる計画だ。
メモリー事業部で商品企画チーム長を務めるチェ・ジャンソク常務は「オンデバイスAI時代には、ストレージは単なるデータ保存領域を超え、AI体験を左右する中核要素として位置づけられている」とコメント。「業界初となるUFS 5.0の開発を通じて、次世代モバイルストレージの新たな基準を示し、AIモバイルの革新を引き続き主導していく」と述べた。
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Daegeon Seok
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