SK hynixは18日、次世代広帯域メモリ「HBM4E」の12層サンプルを主要顧客向けに出荷したと発表した。AIアクセラレーター向けメモリ市場で、次世代製品の立ち上がりを主導する狙いだ。
HBM4Eは、複数のDRAMを積層して高速データ処理を実現するHBMの次世代品。前世代のHBM4に比べ、性能と電力効率をともに高めた。
データ処理速度はピン当たり最大16Gbps。電力効率は20％以上改善した。SK hynixは、AIの学習と推論で求められる処理性能の向上を重視したとしている。
また、最新インターフェースの採用と設計変更により、データ転送時の遅延を抑制。高帯域環境でも安定して動作するようにした。次世代AIデータセンターや大規模コンピューティングシステムにおける処理効率の改善につなげる考えだ。
HBM4Eには、チップ積層後に回路保護材を注入して硬化させる「Advanced MR-MUF」を適用した。12層構成で48GBの容量を実現したほか、熱抵抗をHBM4比で約17％低減し、高性能コンピューティング環境での安定性も高めた。
アン・ヒョン開発総括社長は「これまで培ってきた業界最高水準の技術競争力と量産能力をHBM4Eでも継承し、AIイノベーションを継続的にリードできる基盤を整えた」とコメントした。その上で「パートナーとの協力を基盤に、市場が求める価値を先回りして実装し、フルスタックAIメモリークリエーターとしての技術リーダーシップをさらに強固にしていく」と述べた。
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Daegeon Seok
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