Samsung Electronicsは、NVIDIAの年次開発者会議「GTC 2026」で、次世代HBM「HBM4E」を初披露した。あわせて、先端パッケージング技術「HCB」や、NVIDIAの次世代プラットフォーム「Vera Rubin」向けのメモリ・ストレージ製品も展示した。

同イベントは16日から19日まで（現地時間）、米カリフォルニア州サンノゼで開催される。Samsung Electronicsは、1c DRAM工程と自社ファウンドリの4nmベースダイを採用したHBM4Eチップに加え、コアダイのウエハーも会場で公開した。

HBM4Eは、1ピン当たり16Gbpsのデータ転送速度と、4.0TB/sの帯域幅を実現する。Samsung Electronicsは、メモリ、ロジック設計、ファウンドリ、パッケージングの各技術を組み合わせて開発した点を強調した。

同社によると、開発の土台となったのは、HBM4の量産で蓄積した1c DRAM工程技術と、4nmベースダイの設計力だという。IDMならではの開発体制を生かしたとしている。

パッケージング分野では、HCB（Hybrid Copper Bonding）技術も公開した。TCB（Thermal Compression Bonding）に比べて熱抵抗を20％以上低減し、16段超の積層に対応する技術として訴求した。

HCBは、銅接合をベースにチップ同士を直接接続する方式で、高積層HBMの実装に適しているという。

またSamsung Electronicsは、NVIDIAの次世代「Vera Rubin」プラットフォームに必要なメモリとストレージを一括供給できる唯一の企業である点もアピールした。Rubin GPU向けのHBM4、Vera CPU向けのSOCAMM2、ストレージ製品「PM1763」をプラットフォームとともに展示した。

SOCAMM2はLPDDRベースのサーバ向けメモリモジュールで、同社は業界で初めて量産出荷を始めたとしている。PCIe Gen6ベースのPM1763については、Vera Rubinのメインストレージとして、ブースでNVIDIAのSCADAワークロードのデモを実施した。

イベント2日目の17日（現地時間）には、NVIDIAの招待を受け、Samsung Electronics AIセンター長のソン・ヨンホ氏が登壇する。AIインフラを支えるメモリソリューションのビジョンを示す予定だ。

Samsung Electronics関係者は、「AIファクトリーの革新には、Vera Rubinプラットフォームのような強力なAIシステムが不可欠だ」としたうえで、「これを支える高性能メモリソリューションを継続的に供給していく」と述べた。さらに、「両社はこうした協力を通じて、グローバルAIインフラのパラダイム転換をともに主導していく」としている。