IBMとLam Researchは、1nm未満の半導体プロセス開発に向けて5年間の協業契約を結んだ。新材料の開発や製造工程の革新、High-NA（高開口数）EUV対応を通じて、次世代ロジック半導体の開発ロードマップを前倒しする。
両社は、米ニューヨーク州の「NY CREATES Albany NanoTech Complex」内にあるIBMの研究施設とLam Researchのプロセス装置を活用し、共同で研究開発を進める。Lam Researchはドライレジスト技術のほか、エッチングプラットフォームや成膜システムを提供する。
今回の協業では、High-NA EUVリソグラフィ工程の高度化に加え、複雑化するデバイス構造への対応力向上も目指す。
IBMは2021年に2nmチップを開発した。Rapidusと協力し、来年までの2nm製品量産に向けた取り組みを進めている。一方で、製造パートナーや商用生産の時期については明らかにしていない。
IBMで半導体事業を統括するムケシュ・カレ氏は、「Lam Researchは10年以上にわたり、IBMの重要なパートナーだった。ナノシートや世界初の2nmチップなど、ロジックスケーリングとデバイス構造に関わる主要な技術革新に貢献してきた。High-NA EUVリソグラフィと1nm未満ノードの実現に向け、協力を拡大できることをうれしく思う」とコメントした。
Lam Researchで最高技術・サステナビリティ責任者を務めるバヒド・バヘディ氏は、「業界は3次元スケーリングの時代に入っており、材料、プロセス、リソグラフィを高密度なシステムとして再設計する必要がある。IBMとの協力を通じて、AI時代に不可欠な低消費電力・高性能トランジスタの開発を加速したい」と述べた。
Chi-gyu Hwang
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