Samsung Electronicsが2026年上半期に投入するとみられる次期フラッグシップスマートフォン「Galaxy S26 Ultra」を巡り、ディスプレイやカメラ、充電性能などの主な改良点が明らかになってきた。PhoneArenaは1日（現地時間）、IT情報筋のアンソニー（@TheGalox_）氏の投稿をもとに、同モデルで10項目のアップグレードが見込まれると報じた。

大きな変更点の1つは、ディスプレイの電力効率だ。Galaxy S26 Ultraには最新のM14 OLEDパネルが採用され、前モデルのGalaxy S25 Ultraに搭載されたM13 OLEDと比べて、20〜30％高い電力効率を実現する可能性があるという。Samsung Electronicsはピーク輝度の引き上げより、電力効率の改善を優先する方針とみられる。

あわせて、視野角を狭めて周囲からののぞき見を防ぐ「一体型プライバシースクリーン」機能の搭載も取り沙汰されている。

カメラ機能も強化される見通しだ。背面メインカメラは開放F値がf/1.7からf/1.4に、5倍ズームの望遠カメラはf/3.4からf/2.9に改善され、暗所での撮影性能向上が期待される。

新たなレンズコーティングの採用により、反射や色収差を抑えるほか、肌の色味が黄寄りになる傾向の改善も見込まれる。前面カメラには22mmレンズを採用し、自撮り時の画角を広げるという。

動画撮影機能では、One UI 8.5のCamera Assistantモジュールに新たな制御機能が加わる見通しだ。オートフォーカスの切り替え速度やシャープネスをユーザーが直接調整できるようになるという。

また、素早いピント移動に対応する「Snap Focus」と、映画的な演出を意識した「Rack Focus」の各モードを選べるようになり、動画表現の幅が広がる可能性がある。

充電性能も改善される見込みだ。Galaxy S26 Ultraは、従来の45Wを上回る最大60Wの超急速充電3.0に対応し、バッテリー残量0％から50％までを15分以内で充電できる可能性があるとされる。

バッテリー容量は5100〜5400mAhに増える可能性がある一方、本体の厚さは7.9mmとなり、前モデルの8.2mmより薄型化する見通しだ。

プロセッサには、Qualcommの「Snapdragon 8 Elite」第5世代を採用するとの見方が強い。同チップはTSMCの3nmプロセスで製造される見込みだが、Samsung Foundryの2nmプロセスとGAA（Gate-All-Around）トランジスタを採用したGalaxy向け専用チップの可能性も指摘されている。

メモリはLPDDR5Xを継続採用しつつ、10.7Gbps動作に対応することで、AIを活用したマルチフレームHDR処理を最大25％高速化し、シャッターラグの低減につながるとの見方もある。

Galaxy S26シリーズは、2月25日前後に米サンフランシスコで開かれるSamsung Unpackedで発表される可能性が高い。今回伝えられた改良点は、デザイン刷新よりも、電力効率やカメラ性能、AI関連の使い勝手向上に重点を置いた内容となっている。

情報源の投稿ではこのほか、高速な有線・無線充電や、より高性能で高効率なプロセッサの採用も改良点として挙げられている。