Hanwha Semitecは25日、第2世代ハイブリッドボンダー「SHB2 Nano」を開発したと発表した。2026年上期に顧客へ納入し、性能評価を進める。2022年に第1世代製品を投入して以来の後継機で、同社はTCボンダーに続く成長分野として、ハイブリッドボンディング装置の展開を本格化する。

ハイブリッドボンダーは、チップ同士の銅電極を直接接合する装置だ。人工知能（AI）向け半導体に使われる高帯域幅メモリ（HBM）の性能向上と生産効率の改善につながる次世代実装技術として注目されている。16～20層の高積層HBMでも薄型化しやすく、チップ間にバンプを介さないため、データ転送速度の向上や消費電力の低減が見込めるという。

「SHB2 Nano」には、位置ずれを0.1μm単位に抑える超精密アライメント技術を採用した。髪の毛の太さのおよそ1000分の1に相当する水準という。同社は第1世代に続いて第2世代の開発も終えたことで、量産装置の市場投入を加速させる考えだ。

同社関係者は「先端技術への継続投資を通じて、ハイブリッドボンディングの技術課題を解決し、製品の事業化に道筋をつけた」と説明した。「今回の開発は、先端パッケージング市場をリードするための足場になる」としている。

同社はTCボンダー事業も拡大している。2025年にはTCボンダー「SFM5 Expert」で900億ウォン（約99億円）超の売上高を計上した。2026年に入ってから1～2月にかけて2件の供給契約を相次いで締結。2025年第4四半期は半導体事業の伸長を背景に黒字転換し、2025年3月のTCボンダー初の正式納入から約1年で収益改善を実現したという。

次世代HBM向けでは、第2世代TCボンダーの開発も進めている。2026年には、大型ボンディングヘッドを採用したTCボンダーや、チップ間隔を狭めたフラックスレスTCボンダーを投入する計画だ。研究開発投資も拡大しており、2025年の半導体関連の研究開発費は前年から50％以上増えた。

Hanwhaグループが進める人的分割により、テックソリューション部門が新設持ち株会社の傘下に入れば、研究開発投資の拡大やグループ各社とのシナジー強化も期待できるとしている。同社関係者は「先端半導体市場の急速な変化に対応するため、先行的な技術開発に経営資源を集中している」としたうえで、「将来技術への継続的な研究開発投資とイノベーションを通じて、独自技術を持つ先端半導体ソリューション企業へ飛躍したい」と述べた。