SK hynix利川M16工場の全景。写真=SK hynix

SK hynixは1月28日、2025年10〜12月期の連結業績を発表した。売上高は32兆8267億ウォン、営業利益は19兆1696億ウォンで、四半期ベースの過去最高を更新した。前四半期比では売上高が34%増、営業利益が68%増となった。営業利益率は58%だった。

業績を押し上げたのは、HBMとサーバー向けメモリの需要拡大だ。同社は、高付加価値製品の販売拡大と技術競争力の強化が収益性の改善につながったとしている。

通期の業績は、売上高が97兆1467億ウォン、営業利益が47兆2063億ウォン、純利益が42兆9479億ウォンだった。営業利益率は49%、純利益率は44%。2024年の売上高66兆1930億ウォンから30兆ウォン超積み上がり、営業利益も23兆4673億ウォンから大幅に増えた。通期、四半期ともに過去最高を更新した。

製品別では、DRAM事業でHBMの売上高が前年比2倍超に拡大した。汎用DRAMでは、10ナノ級第6世代DDR5の本格量産を開始。10ナノ級第5世代32Gbベースの256GB DDR5 RDIMMも開発し、サーバー向けモジュール分野で実績を積み上げた。

NAND事業では、上期の需要低迷のなかでも321層QLC製品の開発を完了した。下期は企業向けSSDを中心とする需要を取り込み、通期ベースで過去最高の売上高を記録した。

今後の需要について同社は、AI市場が学習中心から推論中心へ移行しつつあるとみている。分散型アーキテクチャの広がりでメモリの重要性が一段と高まり、HBMに加えてサーバー向けDRAMやNANDを含むメモリ需要全体が拡大すると見込む。

HBM4については、昨年9月に量産体制を整え、顧客向けの供給を進めているという。HBM3EとHBM4を同時に安定供給できる体制を強みに、次世代の競争領域と位置付けるカスタムHBMでも顧客やパートナーとの協業を強化し、最適な製品供給につなげる方針だ。

DRAMでは1cナノへの移行を加速し、SOCAMM2やGDDR7などAI向けメモリの製品群を拡充する。NANDでは321層への移行を進めて競争力を高めるとともに、SolidigmのQLC企業向けSSDを活用し、AIデータセンター向けストレージ需要の取り込みを狙う。

生産体制の強化も進める。清州M15Xでは生産能力を早期に引き上げ、龍仁の第1期ファブ建設を通じて中長期の生産基盤を拡充する方針だ。清州P&T7と米インディアナ州の先端パッケージング工場の準備も進め、前工程から後工程までを含むグローバル生産体制の構築を目指す。

あわせて、過去最大規模の株主還元策も打ち出した。1株当たり1500ウォンの追加配当により、期末配当は同1875ウォンとする。2025会計年度の年間配当は1株当たり3000ウォンで、還元総額は2兆1000億ウォンを見込む。さらに、発行済み株式の2.1%に当たる1530万株の自己株式を全量消却する。27日終値ベースの規模は約12兆2000億ウォンとなる。

ソン・ヒョンジョンSK hynixコーポレートセンター社長は、差別化した技術競争力を基盤に持続的な業績成長を実現するとともに、将来投資、財務の安定性、株主還元のバランスを維持していく考えを示した。そのうえで、単なる製品供給企業にとどまらず、顧客のAI性能要件を支える中核インフラパートナーとしての役割を強化すると述べた。

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