高帯域メモリ（HBM）がAIアクセラレーターの中核技術として定着する一方、容量面の制約を補う手段として高帯域フラッシュ（HBF）への関心が高まっている。Samsung ElectronicsやSanDiskは、今後24カ月以内にHBFをNVIDIA、AMD、GoogleのAI製品へ統合する計画だという。
米TechRadarが23日（現地時間）に報じたことによると、HBMは高速処理に強みを持つ半面、容量には限りがある。これに対し、HBFは大容量化に適する一方、速度面ではHBMに及ばないとされる。
業界各社も開発を進めている。Samsung ElectronicsとSanDiskは24カ月以内の統合を目指しており、SK hynixは試作機を準備中だ。KioxiaはPCIe Gen 6 x8ベースの5TB HBFモジュールを開発している。
HBFはHBM6世代と歩調を合わせて登場し、メモリアーキテクチャを変える技術として期待されている。HBM6では、複数のHBMスタックを相互接続し、帯域幅と容量の双方を拡張する方向が想定されている。
さらに次世代のHBM7では、HBF上で直接データを処理する「メモリファクトリー」の概念が導入される見通しだ。
AIメモリ市場では、HBFの登場がデータ処理のあり方を大きく変えるとの見方も出ている。2038年までに、HBFがHBM市場を上回る可能性があるとの予測もある。
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Chi-gyu Hwang
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