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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方

为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。

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Samsung Electronics与Broadcom达成战略合作：到2030年推进超2000亿美元合作规模

Samsung Electronics表示已与Broadcom签署面向下一代AI基础设施的战略合作协议。双方计划到2030年在存储、晶圆代工和先进封装等领域推进总规模超过2000亿美元的合作，并通过一站式解决方案缩短产品开发周期。