图中人物分别为Samsung Electronics副会长 Younghyun Jeon、SK hynix社长 Nojeong Kwak。

随着2026年第一季度业绩有望再次超出市场预期,Samsung Electronics与SK hynix正借助存储器景气上行窗口,加快各自的业务布局与结构调整。

多家券商预计,两家公司第一季度盈利将出现显著改善。Mirae Asset Securities预计,Samsung Electronics当季营业利润为41.3万亿韩元,环比增长105.9%;Kiwoom Securities和IM Securities给出的预测分别为43万亿韩元和45.3万亿韩元,环比分别增长115%和126%。相关预测最高较市场一致预期高出约15%。

SK hynix方面,Hana Securities预计其第一季度营业利润为36.9万亿韩元,环比增长92%;IM Securities预计为39.4万亿韩元,环比增长105%。券商普遍认为,DRAM和NAND平均售价大幅上涨,是推动两家公司业绩超预期的核心因素,其中DRAM ASP环比升幅预计为62%至71%,NAND ASP环比升幅预计为53%至80%。

在此背景下,Samsung Electronics正释放出弱化单一存储器依赖、推动业务协同扩张的信号。公司在Nvidia GTC 2026上确认,Groq LPU将由Samsung Electronics采用4nm工艺进行晶圆代工量产,计划于第三季度出货。这也是其继去年获得Tesla AI加速器订单之后,再度拿下大型科技客户订单。

Mirae Asset Securities表示,尽管Samsung Electronics晶圆代工业务目前仍处于约1万亿韩元的亏损状态,但随着新客户和新产品订单增加,下半年扭亏预期正在升温。

在高带宽内存领域,Samsung Electronics的HBM4竞争力也进一步明朗。公司在ISSCC 2026上表示,其HBM4单引脚速度最高可达13Gb/s,这一成果基于4nm FinFET工艺逻辑Die实现,显示其存储器与晶圆代工协同正在落地。

与此同时,Samsung Electronics还基于HCB(混合铜键合)完成了4F2结构W2W键合验证,进一步强化了涵盖先进封装在内的一体化制造能力。Kiwoom Securities指出,若Samsung Electronics在HBM4上确立技术领先优势,未来有望借此扩大HBM市场份额。

两家公司加码不同方向布局

与Samsung Electronics侧重制造协同不同,SK hynix更着眼于从资本市场和供货体系两端为下一阶段增长铺路。上月,SK hynix以保密方式向美国证券交易委员会(SEC)递交ADR上市申请。Hana Securities认为,此举意在借助聚集全球大型科技企业的美国资本市场,推动公司估值重估。

与此同时,SK hynix也在与客户就长期供货协议展开谈判。市场认为,相关协议可能加入更强约束力的条款,包括预付款和违约金等内容。Hana Securities预计,更具约束力的长期供货协议机制有望降低存储器行业波动,并为公司估值提升提供支撑。

总体来看,在本轮存储器景气上行周期中,Samsung Electronics正通过晶圆代工、HBM4与先进封装协同推进制造能力升级,SK hynix则通过ADR上市和强化长期供货协议提前布局下一阶段增长。后续存储器价格谈判进展,以及Samsung Electronics晶圆代工接单能否继续扩大,或将成为影响两家公司结构调整节奏的关键变量。

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