Samsung Electronics存储业务的盈利结构正在发生变化。在HBM（高带宽内存）和DRAM（动态随机存取存储器）带动公司创下季度历史新高之后，NAND和晶圆代工业务正被视为下一阶段的重要增长点。NAND方面，公司正围绕Nvidia提出的新存储架构，提前布局下一代SSD产品；晶圆代工方面，2nm工艺在AI（人工智能）和HPC（高性能计算）大客户上的合作进展也逐步明朗。

带动NAND市场预期回升的关键变量来自Nvidia。Nvidia在GTC大会上提出了类似CMX的架构思路，即AI推理过程中产生的数据不再只存放于HBM，而是进一步扩展至基于NAND的存储。原因在于，单纯依赖高价HBM和DRAM的架构，正面临成本和容量压力持续上升的问题。这也被市场视为此前亏损压力较大的NAND重新受益于AI需求的信号。

在这一背景下，市场普遍预计，基于TLC的PCIe Gen6 SSD等高性能存储产品需求将进一步增长。Samsung Electronics在30日举行的一季度财报电话会上表示，公司已完成Gen5及Gen6超高性能NAND存储解决方案的量产准备。针对Gen6产品的早期样品评估，主要客户已就其差异化性能给出积极反馈。公司计划以下半年AI服务器和数据中心需求为重点，抢占Gen6市场先机。

在QLC领域，Samsung Electronics也在持续扩充产品线。公司今年3月已完成2TB QLC产品开发，并计划在此基础上进一步拓展超大容量阵列产品，例如面向服务器的256TB SSD，以提升市场响应能力。与此同时，公司也在加快向V9的转换。Samsung Electronics判断，随着AI系统中存储使用规模持续扩大，业界对缩小HBM、DRAM与存储之间性能差距、降低数据迁移延迟的需求将进一步增强。

NAND业务回升，对存储业务整体盈利稳定性具有直接意义。过去，在DRAM和HBM带动存储市场景气回升的同时，NAND因价格疲弱一度拖累整体盈利表现。随着AI基础设施对存储需求逐步释放，NAND有望与DRAM一道，成为公司新的两大盈利支柱。

◆ 晶圆代工业务：2nm AI客户合作进展趋于明朗

晶圆代工业务的气氛也在发生变化。Samsung Electronics当天表示，正与多家AI、HPC大客户积极推进2nm合作讨论，并预计将在不久后与部分客户取得更明确的进展。与上一季度相比，公司此次对订单推进情况的表述明显更为具体。其背景在于，随着存储供应趋紧，客户同步锁定存储和晶圆代工产能的需求正变得更加明确。

美国泰勒工厂的推进节奏也进一步清晰。1号厂已于4月23日举行设备入场仪式，计划于2026年投产，2027年启动量产，随后分阶段扩大2nm产能。2号厂则在与全球客户推进订单讨论的同时，开展建设前期评估。市场认为，在美国本土布局先进制程产能，对于应对关税风险同样具有现实意义。

与此同时，应用场景的拓展也在提速。基于4nm工艺的HBM4 base die凭借性能优势获得市场认可，并带动了4nm需求增长。公司还在与美洲及大中华区的汽车、机器人客户推进2nm和4nm工艺导入讨论。在数据中心领域，硅光子需求也在快速上升，公司计划自2026年下半年起，与大型光通信模块企业启动相关项目量产。

在成熟制程方面，Samsung Electronics也在同步推进结构调整，即集中资源满足高附加值特种工艺需求，并对竞争力相对不足的工艺进行梳理。CIS和DDI产品线将把产能转至27nm工艺；而在8英寸产线上量产的PMIC、DDI、CIS等产品，也将逐步推进关停产线。

NAND与晶圆代工业务同步修复，对于降低公司对单一存储品类的依赖具有重要意义。Samsung Electronics一季度营业利润主要仍由DRAM和HBM价格上涨带动。在这两类产品价格周期未来可能发生变化的情况下，公司亟需拓展新的盈利来源，而此次NAND与晶圆代工同时释放更清晰的进展信号，因此格外受到市场关注。

不过，从当前情况看，这两项业务距离对业绩形成实质性贡献仍需时间。2nm晶圆代工订单目前仅表述为“近期”有望取得成果，NAND的Gen6 SSD大规模营收也预计将在下半年启动。市场普遍认为，随着泰勒工厂于2027年启动量产，届时或将成为Samsung Electronics非存储业务反弹的重要分水岭。