搜索关键词 3D NAND
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中国高纯钨出口管制趋严，WF6供给波动加剧HBM与AI芯片供应链压力
随着AI数据中心和服务器投资持续扩张，半导体刻蚀、沉积等关键工艺所需的电子特种气体供需日趋紧张。受中国高纯钨出口管制影响，日本WF6供应稳定性承压，HBM、DRAM、3D NAND及先进逻辑芯片生产面临新的供应链风险。机构指出，短期替代供给有限，相关产品价格已明显上涨。
Industry
Applied Materials发布两款新设备，应对AI芯片3D制造均匀性挑战
面向AI芯片带动下不断升级的3D半导体制造需求，Applied Materials发布Centris Spectral SiN原子层沉积系统和Producer Selectra钼刻蚀系统，重点解决高深宽比结构中的沉积与刻蚀均匀性问题，以降低器件性能与良率风险。
Industry
Sony暂停接收CFexpress和SD存储卡订单，NAND供应趋紧波及消费市场
Sony已暂时停止接收部分CFexpress和SD存储卡订单，涉及主要用于数码相机的相关产品。由于AI数据中心扩张带动企业级SSD需求升温，采用TLC 3D NAND的相关元器件采购愈发困难，订单恢复时间仍未明确。业内普遍预计，供应紧张局面或要到2027年底至2028年前后才可能缓解。
