进入3月，全球半导体行业迎来一系列关键节点。Nvidia GTC 2026、中国两会、Samsung Electronics 与 SK hynix 股东大会，以及季度末内存固定交易价格发布，均被视为观察二季度以后行业景气度和终端需求变化的重要窗口。

市场首先关注的是将于3月16日至19日在美国圣何塞举行的 Nvidia GTC 2026。Nvidia CEO Jensen Huang 此前预告的新一代 AI 芯片“Feynman”是否会正式亮相，成为外界焦点。市场消息称，“Feynman”或将采用 TSMC 1nm 级工艺；与此同时，计划于下半年量产的“Vera Rubin”GPU，也有望披露更具体的产品规格。

由于 Nvidia 下一代芯片路线图与 HBM 搭载需求密切相关，GTC 的发布内容被认为将对后续高带宽内存需求预期产生重要影响。

Samsung Electronics 与 SK hynix 也预计将在 GTC 期间展示最新技术进展。业内消息称，Samsung Electronics 或将发布 HBM4、HBM4E、SOCAMM2 等下一代高带宽内存技术；SK hynix 则可能重点展示 HBM4 在提升大语言模型（LLM）系统效率方面的表现。两家公司正加快推进下一代 HBM 技术布局。

除 GTC 外，中国两会同样是本月半导体市场的重要观察点。3月初开幕的全国人民代表大会期间，市场将关注《第15个五年规划（2026—2030年）》相关内容，以及政府工作报告是否进一步明确 AI 数据中心基础设施扩建、国家半导体基金投向，以及成熟制程半导体供应链支持等政策方向。

在美国对华半导体限制持续的背景下，中国推进半导体自主化的节奏，也被认为可能对全球供应链重构产生影响。

股东大会与内存价格同步受关注

除政策和技术发布外，两大存储厂商股东大会释放的管理层信号，同样受到市场关注。

Samsung Electronics 将于3月18日召开第57期定期股东大会。此次会议的重要议题之一，是提名 Kim Yong-gwan（DS部门经营战略负责人、社内董事候选）为新任社内董事。该人士长期负责半导体业务战略规划，市场普遍将此次提名视为 Samsung Electronics 强化 HBM 竞争力、推动代工业务调整的重要管理层信号。

目前，Samsung Electronics 的社内董事包括 Jeon Young-hyun（DS部门负责人、副会长）、Roh Tae-moon（DX部门负责人、社长）以及 Song Jae-hyuk（DS部门 CTO）等3人。

SK hynix 则将于3月25日在京畿道利川总部召开第78期定期股东大会。Cha Sun-yong（未来技术研究院院长，CTO兼社长）将被选任为新任社内董事。SK hynix 表示，此举旨在帮助 CEO 候选梯队从全公司视角提升经营判断能力，并为其参与公司重大决策提供机会。

此外，两家公司还计划通过修改章程，推动删除“排除集中投票制”相关条款，并引入电子股东大会机制。

内存价格走势也是3月市场关注的另一大焦点。根据 DRAMeXchange 数据，2月 PC 用 DRAM 通用产品 DDR4 8Gb 的平均固定交易价格为13美元，环比上涨13.04%。这已是连续11个月上涨，并创下2016年有统计以来新高。

TrendForce 表示，多数 DRAM 供应商与 PC 厂商已在2月前完成一季度价格谈判，后续价格能否继续上行仍有待观察。该机构认为，现货价格已接近买卖双方均可接受的平衡区间，未来涨幅大概率趋缓。

相比之下，NAND Flash 价格走势更为强劲。通用产品 128Gb MLC 在1月的平均固定交易价格为12.67美元，环比上涨33.91%，并已连续14个月上升。随着供应商将产能进一步转向大容量 3D NAND，SLC、MLC 等成熟产品的供给紧张正在加剧。

对市场而言，更关键的仍是3月底将公布的二季度固定交易价格。DRAM 涨势是否放缓、NAND Flash 能否延续升势，将直接影响存储厂商一季度盈利表现，以及二季度以后行业走势的判断。

整体来看，来自 GTC 的 HBM 需求信号、中国两会释放的半导体政策方向、Samsung Electronics 与 SK hynix 股东大会传递的管理层变化，以及季度末内存固定交易价格，预计都将在3月集中落地，并成为上半年半导体市场的重要分水岭。